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工　艺
基于柔性掩膜板制备半导体场效应管
靳亚茹 于佳鑫 *
作者单位
摘要
上海理工大学 光电信息与计算机工程学院，上海 200093
为克服传统制备半导体场效应晶体管（FET）过程中存在的材料损伤、对准精度受限、电极转移难度大和成本高昂等缺陷，提出了一种基于柔性掩膜技术的半导体FET制备方法。利用紫外光刻技术制作柔性掩膜板，直接捞取并加热蒸干固定掩膜板，采用离子束溅射法沉积金属，并通过将半导体CdSe纳米带转移到电极上，获得了N沟道耗尽型FET，证实了器件的功能性和此方法的可行性。此技术成本低廉，且材料损伤小，为制备集成半导体器件提供了一种新的思路。
半导体 场效应晶体管 掩膜板 semiconductor field effect transistor stencil 
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光学仪器
2023, 45(1): 80
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