宁波大学高等技术研究院, 红外材料与器件实验室, 浙江 宁波 315211
使用磁控溅射制备了掺铒氧化铝薄膜, 对薄膜进行了退火处理, 测量薄膜的折射率和X射线衍射图谱, 发现薄膜在600 ℃的退火温度下呈非晶态, 在1.5 μm处的折射率为1.67左右。模拟模场分布, 获得光与掺铒层之间相互作用最大的波导结构参数, 并进一步优化制备条件, 实现侧壁光滑的低损耗掺铒氧化铝脊型波导。在1.31 μm的波长下, 2 μm宽度的氧化铝脊型波导的损耗为1.6 dB/cm, 和使用超快激光灼烧的方法所制备出的损耗为3.8 dB/cm氧化铝脊型波导相比, 损耗大为降低。结果表明, 掺铒氧化铝波导在平面集成波导放大器应用方面极具潜力。
氧化铝薄膜 射频溅射 紫外光刻 脊型波导 干法刻蚀 Al2O3 film RF sputtering ultraviolet lithography ridge waveguide dry etching
为了研究 Al2O3薄膜在蓝宝石光学窗口中的应用, 采用离子束溅射技术制备了不同工艺条件下的 Al2O3薄膜, 根据薄膜的测试结果对薄膜的折射率和消光系数进行了拟合, 分析了工艺条件对 Al2O3薄膜性能的影响。在蓝宝石窗口上用 ZnS和 Al2O3作为高、低折射率材料, 设计并制备了电视(600～ 900 nm)和中红外(3.4～4.8 .m)双波段高效减反射薄膜, 测试结果表明, 薄膜的减反射效果良好, 具有较强的环境适应性, 适合于作为光学窗口薄膜。而 Al2O3薄膜吸潮引起的 2.8～3.5 .m波段的吸收, 以及蓝宝石基片在 4.0 .m之后的吸收是造成透射率较低的主要原因。
离子束溅射 Al2O3薄膜 光学窗口 环境适应性 ion beam sputtering, Al2O3 film, optical window, e
1 电子工程学院 脉冲功率激光技术国家重点实验室, 合肥 230037
2 电子工程学院 安徽省红外与低温等离子体重点实验室, 合肥 230037
3 中国空空导弹研究院, 河南 洛阳471009
钒的氧化物具有对温度敏感的半导体-金属可逆相变特性.在多种钒氧化合物中,VO2的相变温度点约为68℃,适用于很多应用领域.VO2长期暴露在空气中时,会被氧化.研究了通过制备VO2/Al2O3复合膜系来保持氧化钒薄膜的稳定性的方法.采用TFCalc薄膜设计软件,设计了VO2/Al2O3复合膜系.依据材料的折射率和消光系数,优化了膜系各膜层的厚度,分析了复合膜系的相变特性.采用磁控溅射方式制备了氧化钒薄膜,再通过氧氩混合气氛热处理得到VO2占主要成分的氧化钒薄膜.在氧化钒薄膜上采用射频磁控溅射方法封装了120nm厚的Al2O3膜.利用分光光度计测量分析了膜系的相变特性,Al2O3膜对VO2膜的相变性能影响很小.Al2O3膜适于VO2薄膜的封装.
Al2O3薄膜 VO2薄膜 封装 相变 Al2O3 film VO2 film package phase transition
1 微光夜视技术重点实验室, 陕西 西安 710065
2 北方夜视科技集团股份有限公司, 云南 昆明 650223
为了解决防离子反馈Al2O3膜污染对三代微光管GaAs光电阴极灵敏度的影响, 用四级质谱计对制管超高真空室残气、无膜微通道板(MCP)和带Al2O3膜MCP在电子轰击时的放气成份进行分析。结果表明, 带Al2O3膜MCP放出有对阴极光电发射有害的C、CO、CO2、NO、H2O2和CXHY化合物, 它们来源于Al2O3膜制备过程的质量污染。经过对制膜工艺质量进行改进, 制备出了放气量小于2×10-9 Pa且无CXHY化合物气体的Al2O3膜。
Al2O3膜 防离子反馈 电子轰击 质量污染 Al2O3 film ion barrier MCP MCP electron bombardment quality pollution
合肥工业大学材料科学与工程学院,安徽合肥230009
氧化铝(Al2O3) 薄膜具有许多优良的物理化学性能,在机械、光学及微电子等高科技领域有着广泛应用,一直受到人们的高度关注。但Al2O3 具有多种物相形态,性质差别很大。因此研究不同结构对其发光性能的影响在Al2O3 实际应用中有着重要意义。本文采用射频磁控溅射技术在单晶硅衬底上制备了Al2O3 薄膜,并在氮气中进行了不同温度的退火,对比了退火前后薄膜的结构和光致发光特性。观察到了在384nm 和401nm 附近的两个荧光峰,这两个发光峰都是由色心引起的。随着退火温度的升高,Al2O3 薄膜的结晶质量变好,同时荧光峰峰位发生了相应的变化,强度也发生了明显的变化。
A12 0 3 薄膜 光致发光光谱 射频磁控溅射 红移 色心 Al2O3 film photoluminescence spectrum RF magnetron sputtering red shift color center
大连理工大学三束材料改性国家重点实验室, 大连 116024
采用反应射频磁控溅射技术，通过调整溅射靶面上金属Er和Yb的面积比例制备出了不同Yb含量的Er/Yb共掺Al2O3薄膜，重点探讨了薄膜制备过程中Er、Yb成分比例控制的可靠性及Yb的掺杂浓度对Er/Yb共掺Al2O3薄膜室温光致荧光谱强度及峰型的影响。利用卢瑟福背散射谱(RBS)和电子能谱(EDX)对薄膜成分进行的分析表明
薄膜 Al2O3薄膜 Er/Yb共掺 光致荧光
