Cu2ZnSnS4薄膜因其元素地壳含量丰富、无毒且具有优异的光电性能, 受到研究者的广泛关注。本文基于纳米墨水法用Cd部分取代Zn制成了Cu2(CdxZn1-x)SnS4(CCZTS)薄膜, 研究退火时间和后退火温度对薄膜及其太阳电池性能的影响。研究结果表明, 所制备的薄膜为CCZTS相, 无其他杂相, 薄膜表面平整且致密, 结晶性较好。随着退火时间增加, 薄膜的晶粒尺寸有所增大, 薄膜太阳电池的pn结质量得到提升, 其性能也随之提高。通过对薄膜太阳电池进行后退火处理, 分析了吸收层的元素扩散对电池性能的影响, 在Cd元素形成梯度分布时, 电池性能有所提高。随着后退火温度的增加, 其电池性能和pn结质量呈现先提高后下降的趋势。经后退火300 ℃处理后, 电池转换效率最佳, 为3.13%。

以 Mg2Si 烧结靶为靶材, 采用磁控溅射法在Si、石英和 Al2O3 衬底上先沉积一层 Mg2Si 非晶薄膜, 再进行退火处理, 研究了衬底类型、退火温度及退火时间对 Mg2Si 多晶薄膜结构的影响。结果表明: Si、石英、Al2O3 三种衬底上 Mg2Si 薄膜的最优退火温度和退火时间均为 350 °C 和 1 h。Al2O3 衬底上的 Mg2Si 薄膜结晶质量最佳, Si 衬底上的薄膜次之, 石英衬底上的薄膜结晶质量最不理想, 分析表明这种差异主要源于衬底与薄膜之间的热失配不同。

通过测量p+Si/PEDOT∶PSS/Tips-PEN/Ag器件的J-V特性, 研究了退火时间对溶液法制备Tips-PEN薄膜电流传输特性的影响。实验结果表明, 在退火时间为2 h和5 h的条件下, 随偏置电压的增加, 双对数J-V曲线存在斜率依次为2, 大于3以及2的不同区域, 而在退火时间达到10 h后, 低电压下斜率为2的区域消失。根据空间电荷限制电流模型, 分析了不同区域的电流传输机理, 并提取了陷阱密度和空穴的迁移率。在退火时间为10 h时, 材料有最低的陷阱密度570×1018/cm3和最大的空穴迁移率168×10-4 cm2/(V·s), 其在低偏置下传输特征的改变表明与溶剂残留有关的单一能级陷阱极大减小。