作者单位
摘要
福建工程学院 微电子技术研究中心,福建 福州 350108
为了适应新一代电子技术的日益发展,开发各种新型存储器显得日益重要。与传统存储器相比,新一代的存储器不但需要更高性能的记忆特性,还需要可以满足灵活性、透明性或神经形态功能等特定应用的需求。本文以有机半导体材料C8-BTBT作为半导体层,PVP量子点共混作为浮栅提出了一种有机透明存储器(透明度≥83%)。器件具有超过40 V的存储窗口,编写/擦除电流比大于103,在104 s后仍能稳定分辨开关态。本文工作为透明柔性器件提供了一种新的解决方案,并预示了它们在下一代透明有机电子领域的潜力。
有机薄膜晶体管 存储器 透明器件 量子点 浮栅 organic thin film transistor memory transparent device quantμm dots floating gate 
液晶与显示
2023, 38(7): 919
作者单位
摘要
中国电子科技南湖研究院, 嘉兴 314000
与传统硅基电子相比, 柔性电子因其独特的便携性、折叠卷曲性和生物相容性被广泛研究。柔性存储器作为柔性电子重要分支, 在可穿戴设备、智慧医疗、电子皮肤等领域展现出良好的应用前景。同时随着5G、人工智能、物联网等新一代信息技术深入应用, 市场对高密度、非易失、超低功耗柔性存储器的需求持续释放, 催生了柔性铁电存储器件的研究热潮。本文综述了近年来柔性无机铁电薄膜的制备及其在存储器领域应用进展。首先介绍了柔性铁电薄膜制造技术的发展情况, 包括柔性基板上的范德瓦耳斯异质外延、刚性基板上的化学蚀刻分层、新型二维(2D)铁电材料生长等, 然后介绍了基于无机铁电薄膜的柔性存储器的研究进展, 最后对柔性铁电存储器的未来发展进行了展望。
柔性 无机材料 铁电薄膜 范德瓦耳斯异质外延 化学蚀刻 二维铁电材料 存储器 flexible inorganic material ferroelectric thin film van der Waals heteroepitaxy chemical etching 2D ferroelectric material memory 
人工晶体学报
2023, 52(3): 380
作者单位
摘要
1 高效能服务器和存储技术重点实验室, 济南 250101
2 山东云海国创云计算装备产业创新中心有限公司, 济南 250101
3 浪潮电子信息产业股份有限公司, 济南 250101
4 东南大学 射频与光电集成电路研究所, 南京 210096
采用0.18 μm CMOS工艺设计和实现了一种适用于100 Gbit/s以太网PCS链路的高速异步FIFO 芯片。采用双端口8T结构替代存储器,提高了工作速率。灵敏放大器利用锁存放大器和预充电技术来放大位线上微小信号,减少了传播延迟。为了减小读写时间,研究了存储单元晶体管尺寸对电平翻转时间的影响,既满足了快速访问的要求,又获得了高可靠性的信号传输。芯片(包括焊盘)面积为1.43 mm2。测量结果表明,该FIFO可工作于1.05 GHz,输出信号的眼图清晰,水平张开度达到0.91UI。当电源电压为1.8 V时,电路功耗为143.3 mW。该FIFO适用于16×6.25 Gbit/s以太网PCS链路系统。
双端存储器 物理编码子层 高速 电荷锁存灵敏放大器 预充电技术 dual-port storage PCS high speed charge-transfer latch-based sense amplifier pre-charge technology 
微电子学
2022, 52(5): 886
陈敏 1,2张启明 1,2,*
作者单位
摘要
1 上海理工大学 光子芯片研究院,上海 200093
2 上海理工大学 光电信息与计算机工程学院,上海 200093
阻变存储器是一种新型非易失性存储器,其在外加电场作用下可实现高阻态和低阻态之间的切换。存储器电极材料和活性层材料的选择及相互作用是实现器件阻变特性的主要因素。石墨烯是具有优良导电性和高延展性的二维材料,通过激光加工还原氧化石墨烯是高效获取石墨烯的极佳方法。传统存储器的制备过程复杂,不利于大规模加工制造。以金属金(Au)和还原氧化石墨烯(rGO)作为电极,氧化石墨烯(GO)作为阻变层进行器件制备,很好地实现了存储器的阻变功能。简单高效的制备方式为大规模、高集成化生产阻变存储器提供了参考。
氧化石墨烯薄膜 还原氧化石墨烯 阻变材料 阻变存储器 graphene oxide reduced graphene oxide resistive materials resistive memory devices 
光学仪器
2022, 44(6): 8
作者单位
摘要
1 湘潭大学材料科学与工程学院, 湖南湘潭 411105
2 上海精密计量测试研究所, 上海 201109
3 西北核技术研究院, 陕西西安 710024
4 中国原子能科学研究院, 北京 102488
基于中国原子能科学研究院的 HI-13加速器, 利用不同线性能量传输(LET)值的重离子束流对 4款来自不同厂家的 90 nm特征尺寸 NOR型 Flash存储器进行了重离子单粒子效应试验研究, 对这些器件的单粒子翻转(SEU)效应进行了评估。试验中分别对这些器件进行了静态和动态测试, 得到了它们在不同 LET值下的 SEU截面。结果表明高容量器件的 SEU截面略大于低容量的器件; 是否加偏置对器件的翻转截面几乎无影响; 两款国产替代器件的 SEU截面比国外商用器件高。国产替代器件 SEU效应的 LET阈值在 12.9 MeV·cm2/mg附近, 而国外商用器件 SEU效应的 LET阈值处于 12.9~32.5 MeV·cm2/mg之间。此外, 针对单粒子和总剂量效应对试验器件的协同作用也开展了试验研究, 试验结果表明总剂量累积会增加 Flash存储器的 SEU效应敏感性, 分析认为总剂量效应产生的电离作用导致了浮栅上结构中的电子丢失和晶体管阈值电压的漂移, 在总剂量效应作用的基础上 SEU更容易发生。
NOR型 Flash存储器 重离子 单粒子效应 总剂量效应 协同效应 NOR Flash memory heavy ions Single Event Effect(SEE) Total Ionizing Dose(TID) effect synergistic effects 
太赫兹科学与电子信息学报
2022, 20(9): 877
作者单位
摘要
湖北工业大学机械工程学院现代制造质量工程湖北省重点实验室,湖北 武汉 430068
T型相变存储器的低功耗、非易失性、高存储密度和高可靠性等优势使其被国际半导体工业协会认为是下一代半导体存储器的主流产品之一。为了保证T型相变存储器制造工艺的可控性,提出了一种基于光学散射的纳米结构三维形貌参数测量方法。基于严格耦合波分析方法建立了T型相变存储器的光学特性模型。分析了待测样品上椭圆偏振光的振幅和相位变化量。用逆散射问题反演求解待测纳米结构的三维形貌参数等信息。利用光学散射仪对T型相变存储器的三维形貌参数进行测量,并将待测参数的提取结果与扫描电子显微镜的测量结果进行对比,验证了光学散射仪在T型相变存储器形貌表征及制造工艺监控上的可行性与有效性。
散射 纳米结构 光学散射仪 T型相变存储器 三维形貌参数 scattering nanostructure optical scattermetry T-type phase change random access memory three-dimensional morphology parameters 
激光与光电子学进展
2022, 59(19): 1929001
费宬 1,*康佳龙 1,2刘俊良 3康英杰 1[ ... ]方家熊 1,2
作者单位
摘要
1 山东大学 a.光学高等研究中心
2 b.信息科学与工程学院,山东青岛 266237
3 山东大学 b.信息科学与工程学院,山东青岛 266237
4 中国科学院 a.上海技术物理研究所,上海 200083
5 b.上海微系统与信息技术研究所,上海 200050
为了增强短波红外成像仪的成像对比度,提高目标的识别率,介绍了一种基于现场可编程门阵列 (FPGA)的灰度拉伸算法的实现方法。利用视频数据两帧之间灰度分布近似的特性,通过统计上一帧图像的灰度分布,计算图像拉伸所需要的参数,处理当前帧的图像,达到实时处理的效果。在灰度统计模块中,利用 FPGA的片上块随机存储器 (Block RAM)资源,采用非倍频的流水线数字逻辑设计,避免了跨时钟域的操作,降低了系统状态机的复杂度,提高了系统的工作频率。采用国产 320×256元 InGaAs面阵探测器,搭载了 Xilinx Artix-7系列芯片的实验平台进行实验,仿真结果表明,该方法能有效提高短波红外图像的对比度,具有占用资源少、运算速度快、成本低、可移植性高等优点,满足短波红外成像仪实时灰度拉伸处理的设计要求。
灰度统计 灰度拉伸 现场可编程门阵列 块随机存储器 grayscale statistics grayscale stretching Field Programmable Gate Array Block RAM 
太赫兹科学与电子信息学报
2022, 20(7): 713
作者单位
摘要
上海理工大学 光电信息与计算机工程学院,上海 200093
基于石墨烯材料的半浮栅场效应晶体管因其非易失性的存储特性而被广泛研究。通过定点转移工艺制备了一种以少层石墨烯为沟道,六方氮化硼作为隧穿势垒层,石墨烯作为半浮栅电荷俘获层的石墨烯场效应晶体管。由于其独特的半浮栅结构,器件的转移特性曲线出现双狄拉克点。对器件转移特性曲线双狄拉克点现象进行了系统理论分析。另外,得到石墨烯浮栅器件的稳定保留特性,在200 s内,器件存储擦除电流差可以维持在20 μA左右。所提出的研究有助于实现基于半浮栅结构的二维材料多功能光电子器件。
石墨烯 半浮栅 场效应晶体管 存储器 graphene semi-floating gate field-effect device memory 
光学仪器
2022, 44(3): 75
作者单位
摘要
中国辐射防护研究院, 太原 030006
针对核设施机电设备中控制系统存储单元耐辐射可靠性评价的需要, 以国产NOR型Flash存储器为研究对象, 对器件存储阵列浮栅单元的总剂量损伤阈值开展了实验研究。综合利用SMOTE算法和Bootstrap法建立了一种基于极小子样的器件耐辐照可靠性评价方法, 对被测样品校验失效剂量进行了统计分析。实验结果表明, 器件浮栅单元的主要失效模式为浮栅电荷损失造成的阈值电压降低, 平均校验错误剂量为(631.89±103.64)Gy(Si)。统计分析表明, 器件总剂量损伤阈值服从对数正态分布。基于SMOTE-Bootstrap的可靠性评价方法避免了传统Bootstrap再生样本过于集中的问题, 可应用于极小子样的可靠性评价。
总剂量效应 Flash存储器 可靠性分析 极小子样 total ionizing dose effect flash memory reliability analysis extremely small sample size 
微电子学
2022, 52(1): 150
作者单位
摘要
中山大学 电子与信息工程学院, 广州 510006
目前已有一些在ESD和电磁干扰下存储器行为的表征研究, 但对静态随机存取存储器(SRAM)的连续波抗扰度的频率响应特性的研究很少。文章研究了SRAM在射频电磁干扰下的失效行为与机理。对SRAM芯片进行射频干扰测试发现, SRAM失效行为与其工作模式相关。使用Hspice进行晶体管级仿真。结果表明, SRAM处于数据保持时, 抗扰能力很强, 处于读写模式时, 抗扰能力较弱。进一步研究失效机理发现, 电源端干扰会导致路径延时的漂移和抖动, 造成SRAM读写失效。该研究可为存储器或系统级芯片的可靠性设计提供指导。
静态随机存取存储器 电磁干扰 失效机理 SRAM EMI failure mechanism 
微电子学
2022, 52(1): 139

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