曹晶 1,2杨文河 1,2刘泽旭 1,2陈韫懿 1,2[ ... ]林楠 1,2,*
作者单位
摘要
1 中国科学院上海光学精密机械研究所强场激光物理国家重点实验室,上海 201800
2 超强激光科学与技术重点实验室(中国科学院),上海 201800
极紫外(EUV)光刻是7 nm及以下技术节点芯片大规模量产的关键技术。随着技术节点的减小、工艺复杂性的增加,芯片的良率面临着巨大挑战。边缘放置误差(EPE)是量化多重曝光技术过程中制造图案保真度的最重要指标。EPE控制已成为多重曝光和EUV融合光刻时代最大的挑战之一。EPE是关键尺寸(CD)误差和套刻误差的结合。在EUV光刻中,光学邻近效应和随机效应是引起光刻误差的重要因素。光学邻近效应校正(OPC)可以使EPE最小化。对于最先进的技术节点,EPE通常由随机效应主导,因此需要对EPE进行建模,尤其是需要对随机效应进行严格的建模,以分析影响EPE的关键参数。选择不同的测量手段对关键参数进行测量并优化EPE是提高芯片良率的重要途径。本文首先综述了EPE在EUV光刻中的重要作用,然后讨论了OPC和随机效应、EPE模型及涉及的关键参数,并介绍了关键参数的测量方法,最后总结和展望了与EPE相关的技术。
测量 极紫外光刻光源 套刻 光学邻近效应校正 对准 
中国激光
2024, 51(7): 0701005
作者单位
摘要
1 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激光与物质相互作用国家重点实验室,吉林 长春 130033
2 中国科学院大学,北京 100049
为了实现极紫外光刻光源驱动激光光斑位置的高精度、宽范围、快响应检测,设计了一种高重复频率窄脉冲信号多通道同步采集处理电路,并提出了基于高斯光斑模型的二级扩展误差补偿算法,可以为极紫外光刻光源驱动激光指向控制提供高精度反馈调节量。首先,介绍了光斑位置检测系统的结构组成与四象限探测器的基本检测原理;然后在考虑探测器半径、光斑半径以及沟道宽度等因素影响的前提下对误差补偿函数进行改进,并对改进的二阶扩展误差补偿算法进行了仿真分析;接着介绍了用于高重复频率窄脉宽信号的多通道同步高速采集电路;最后搭建了实验平台,对改进的算法进行验证。实验结果显示,二阶扩展误差补偿算法的均方根误差为0.0042,最大绝对误差为0.0092 mm,绝对误差的平均值为0.0034 mm;与二阶误差补偿算法相比,二阶扩展误差补偿算法的均方根误差、最大绝对误差和绝对误差的平均值分别降低了83.06%、85.28%和83.50%。表明二阶扩展误差补偿算法与二阶误差补偿算法相比,具有明显的优越性及实用性,在扩展了光斑位置检测范围的同时,光斑位置的检测精度也得到了明显的提升,解决了传统算法无法兼顾计算速度与检测精度的问题。
测量 光斑位置检测 极紫外光刻光源 高重复频率窄脉冲 CO2激光 四象限探测器 
中国激光
2023, 50(2): 0204002
作者单位
摘要
哈尔滨工业大学 可调谐(气体)激光技术国家级重点实验室, 哈尔滨 150001
计算了放电等离子体极紫外光刻光源中,不同等离子体长度条件下的收集效率,实验上研究了等离子体长度对Xe气放电极紫外辐射的影响。结合本系统光学收集系统设计参数和理论计算结果,给出了不同等离子体长度条件下中间焦点处13.5 nm(2%带宽)光功率。结果表明等离子体长度为3~6 mm时毛细管光源中间焦点光功率和尺寸最优。
极紫外光刻光源 毛细管放电 Xe等离子体 13.5 nm辐射 Z箍缩 extreme ultraviolet source capillary discharge Xe plasma 13.5 nm emission Z pinch 
强激光与粒子束
2013, 25(10): 2631

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