中国电子科技集团公司 第二十六研究所, 重庆 400060
绝缘体上压电基板(POI)是一种新兴的压电单晶复合薄膜结构材料。POI基板由压电单晶材料薄层(单晶钽酸锂/铌酸锂)、二氧化硅层及高阻硅衬底构成, 采用Smart-Cut工艺制备, 可保证板层高均匀度及高质量的批量生产。通过这种基板可设计满足5G通信要求的高性能集成声表面波(SAW)谐振器和滤波器。基于POI材料制备的SAW器件具有高频、高品质因数(Q)值、低温度敏感性及较大带宽等优良特性, 同时还能在同一芯片上集成多个SAW滤波器, 具有广阔的市场应用前景。该文介绍了POI基板的制备、国内外的研究现状及POI基板在高性能SAW滤波器中的应用, 综述了制备POI基板的关键技术并展望了未来的发展趋势。
绝缘体上单晶钽酸锂薄膜(LTOI) POI基板 声表面波 智能剥离技术 晶体离子注入剥离(CIS) 晶圆键合 LiTaO3-on-insulator(LTOI) piezo-on-insulator(POI) substrate surface acoustic wave (SAW) Smart-Cut process crystal ion slicing(CIS) wafer bonding
南京邮电大学 彼得·格林贝格尔研究中心，江苏 南京 210003
AlGaN 基深紫外（Deep ultraviolet，DUV）发光二极管（Light?emitting diode，LED）可用于杀菌、水体净化、光疗、固化、传感和非视距通信等场合，在生物、环境、工业、医疗和**等领域具有广阔的应用前景。针对现阶段 DUV LED 外量子效率较低的问题，本文提出了一种超薄垂直结构的 DUV LED 方案。该方案基于蓝宝石‐硅晶圆键合和物理减薄工艺实现了高质量 DUV LED 外延层从蓝宝石衬底到高导热硅基板的转移，并采用转移后亚微米厚度的超薄外延层制备出垂直结构的 AlGaN DUV LED。器件的出光面在减薄工艺后无需特殊的化学处理便可实现纳米级的粗化，配合超薄外延层结构具备显著的失谐微腔效应，有助于破坏高阶波导模式，从而增加 TM 波的出光并提升器件的出光效率。测试表明，转移后的外延层厚度约为 710 nm，制备出的 DUV LED 发光光谱峰值波长约为 271 nm。该垂直结构 DUV LED 制备方案为实现高效 DUV 光源提供了可行路径。
深紫外发光二极管 外延层转移 晶圆键合 减薄工艺 DUV LED epilayer transfer wafer bonding thinning process
中国电子科技集团公司第二十六研究所, 重庆 400060
声表面波器件向小型化、集成化、更高性能方向发展, 需要制作复合单晶薄膜和采用晶圆级封装。该文针对关键工艺中的晶圆键合工艺开展研究, 提出工艺要求, 简述有关键合工艺要求和设备特点, 并进行了金属键合工艺验证。实验证明, 设备和工艺能满足产品封装要求。
声表面波器件 晶圆级封装 复合单晶薄膜 晶圆键合 设备特点 surface acoustic wave device wafer level packaging composite single crystal film wafer bonding equipment feature
1 中国科学院微电子研究所 1. 微电子器件与集成技术重点实验室
2 2. 高频高压器件与集成研发中心
3 中国科学院微电子研究所 2. 高频高压器件与集成研发中心
4 智能感知研发中心, 北京 10009
着重分析了晶圆表面残留颗粒对晶圆键合的影响, 并从表面残留颗粒统计意义的角度, 得到了一个晶圆键合的判定标准。为了改善键合界面出现的气泡问题, 一种基于点压技术的新型点压键合法被应用到整片键合中, 并和传统的金金热压键合法进行了比较。实验表明, 采用点压键合法能够有效抑制晶圆表面残留颗粒对晶圆键合的影响。
晶圆键合 热压键合 点压键合法 表面粗糙度 表面清洁度 wafer bonding thermocompression bonding spot pressing bonding surface roughness surface cleanliness
