作者单位
摘要
国防科技大学 电子科学学院,长沙 410073
结合相变材料与马赫-曾德尔干涉仪调制器结构,设计了一种包含ITO微加热器的非易失性光子多值器件,通过对相变材料的结构参数进行仿真,优化了器件的调制窗口。同时对ITO微加热器的结构进行仿真设计,使微加热器的效率更高,更容易实现器件的多值调制。测试表明,该器件在施加电脉冲的过程中实现了超过32个状态(5 bit)的多值调制。这种电调制的非易失性光子多值器件为大规模的非易失性可配置光子硬件神经网络提供了基础的单元。
非易失性 光子器件 马赫-曾德尔干涉仪 相变材料 硒化锑 氧化铟锡 多值 Nonvolatile Photonic devices Mach-Zehnder interferometer Phase change material SbSe ITO Multi-level 
光子学报
2024, 53(1): 0123001
作者单位
摘要
郑州轻工业大学 物理与电子工程学院,郑州 450001
为了实现红外吸收波长的主动调控,提出一种Ge2Sb2Te5(GST)相变材料的可调谐金属/介质/金属(MDM)型近红外光学超构表面吸收器。首先,采用时域有限差分(FDTD)法对器件的吸收性能进行仿真分析;然后,根据电场分布特点分析了吸收器等离子体震荡吸收的物理机制。仿真结果表明:当改变GST的晶化分数时,所提吸收器实现了吸收峰中心位置从1.17 μm偏移到1.8 μm,偏移宽度为630 nm,吸收器在通信波长为1.55μm时可以实现高-低吸收率的转换。
超构表面 吸收器 Ge2Sb2Te5相变材料 metasurface, absorber, Ge2Sb2Te5 phase change mate 
光通信技术
2023, 47(4): 0021
张寿俊 1,2曹暾 3,*田震 1,2,4,**
作者单位
摘要
1 天津大学精密仪器与光电子工程学院太赫兹波研究中心,天津 300072
2 天津大学光电信息技术教育部重点实验室,天津 300072
3 大连理工大学光电工程与仪器科学学院,辽宁 大连 116081
4 天津大学佐治亚理工深圳学院,广东 深圳 518067
相变材料 超表面 太赫兹 可重构 phase change material metasurface terahertz reconfigurable 
光电工程
2023, 50(9): 230142
作者单位
摘要
近年来,随着弹载电子设备集成度越来越高,内部热耗不断增加,如何实现设备的高效热管理,成为制约弹载电子设备进一步发展的重大难题。该文提出了一种应用于大功率弹载微波组合的相变储热模块,通过仿真分析手段研究了储热模块主体结构对储热模块整体储热性能的影响。综合考虑可制造性、质量、储热能力等多方面因素后,确认了储热模块的结构形式和最终选用的相变介质材料。利用增材制造技术加工出储热模块样品,并搭建热测试平台完成了该样品的散热效果评估。实验表明,在60 ℃环境下,模块总热耗为211 W,工作10 min后,模块表面最高温度为104.1 ℃,满足组合使用要求。该储热设计技术有效地解决了模块短时大功率下温升过高的问题,在弹载电子设备热管理领域有着广阔的应用前景。
相变材料 储热模块 弹载 散热能力 phase change materials heat storage module missile-borne meat dissipation capacity 
压电与声光
2023, 45(5): 780
赵梦真 1李超 1,*张凤 1万柄亿 1[ ... ]王飞久 1,2
作者单位
摘要
1 河南大学 未来技术学院,光伏材料省重点实验室,河南 开封 475001
2 河南大学 拓扑功能材料研究中心,河南 开封 475001
相变是调节材料性能的一种有效方法,在介电、光电、光致发光等领域有着广泛的应用。本文采用水热法合成未知相CsAgCl2,并通过升温和Eu3+掺杂将CsAgCl2从未知相转变为正交相。制备的Eu3+掺杂的CsAgCl2具有较高的光学温度灵敏度,在荧光强度模式和荧光寿命模式下的最大相对灵敏度分别为3.63%·K-1和3.20%·K-1。结果表明,CsAgCl2是一种很有前途的高灵敏度光学温度传感材料。
相变 光学温度传感 水热合成 CsAgCl2 Eu3+掺杂 phase transition optical temperature sensing hydrothermal synthesis CsAgCl2 Eu3+ doping 
发光学报
2023, 44(11): 1950
作者单位
摘要
1 苏州大学 工程训练中心,苏州 215006
2 上海海事大学 海洋科学与工程学院,上海 201306
为了探讨1维微尺度热传导模型不同激光能量对石墨转化纳米金刚石相变机理的影响,采用基于密度泛函理论的分子动力学方法模拟优化后的石墨结构,用有限差分法计算了激光辐照石墨表面的温度分布; 基于sp3杂化键可以明显地区分金刚石和石墨结构,根据能量耦合得到不同激光能量条件下辐照石墨的态密度带隙,研究了碳原子键合条件。结果表明,只有当激光能量达到5 J时,才能形成少量sp3杂化碳原子; 随着激光能量的增加,液相下受辐照的石墨表面的温度随之增加,碳原子中的自由电子更容易移动到成键分子轨道,电子的电负性增强,从而增强sp3键的极性,并有助于将sp2键转变为sp3键。该研究结果对在液相激光辐照下提升纳米金刚石制备效率、探究纳米金刚石制备机理有重要的现实意义。
激光技术 相变机制 分子动力学模拟 激光能量 温度分布 sp3杂化 laser technique phase transition mechanism molecular dynamics simulation laser energy temperature distribution sp3 hybridization 
激光技术
2023, 47(6): 860
作者单位
摘要
青海大学,新能源光伏产业研究中心,西宁 810016
为提升水合盐相变材料的性能,以Na2SO4·10H2O-Na2HPO4·12H2O共晶盐(EHS)作为基体材料,采用HF/HNO3刻蚀法制备亲水性纳米碳化硅(Nano-SiC),并以Na2SiO3·9H2O和改性Nano-SiC作为复合添加剂制备复合纳米相变流体材料(Nano-SiC EHS PCMs)。结果表明:改性后Nano-SiC在EHS PCMS中具有良好的分散稳定性,同时Na2SiO3·9H2O和Nano-SiC 协同作用下使得EHS PCMs过冷度降低到0.3 ℃,无相分层现象。Nano-SiC EHS PCMs在固液相变体系中热导率均有提升,同时添加0.2% (质量分数)Nano-SiC后EHS PCMS储能时间缩短了21.8%。添加质量分数为0.15% Nano-SiC的EHS PCMs熔融焓和结晶焓分别为267.3 J/g和231.4 J/g,经过1 000次冷热循环后焓值变化甚小,该体系具有良好的循环稳定性。
纳米碳化硅 表面改性 共晶盐 纳米相变流体 nano silicon carbide surface modified eutectic hydrated salt phase change nanofluids 
硅酸盐学报
2023, 51(10): 2644
作者单位
摘要
四川师范大学物理与电子工程学院,微纳光学实验室,四川 成都 610101
边缘检测 聚焦成像 相变材料 超表面 edge detection imaging phase change material metasurface 
光电工程
2023, 50(8): 220284
孙晓冬 1,2石玉娇 1,2,*
作者单位
摘要
1 华南师范大学生物光子学研究院,激光生命科学教育部重点实验室,广东 广州 510631
2 华南师范大学生物光子学研究院,广东省激光生命科学重点实验室,广东 广州 510631
温度响应型纳米材料作为造影剂的巨大潜力推动了近年来光声成像领域的研究和发展,然而,目前报道的温度响应型纳米探针的响应温度超过了人体可以容忍的范围,同时可逆性低,这两个问题是其实际应用的严重障碍,影响了其有效成像和长期监测的效果。鉴于此,笔者设计了一种聚(N-异丙基丙烯酰胺)(PNIPAM)包裹金纳米棒(AuNR)的温度响应型相变纳米探针AuNR@PNIPAM,其可在生理温度附近表现出增强且可切换的近红外二区光吸收,实现对肿瘤的高对比度成像。当AuNR@PNIPAM微凝胶热靶向到肿瘤组织后,金纳米棒核吸收近红外光能量触发PNIPAM壳相变。当温度高于PNIPAM的体积相变温度时,PNIPAM水凝胶经历溶胀到坍缩的体积相变,使金纳米棒周围的折射率变大,诱导微凝胶的局域表面等离子体共振峰发生红移并使其吸收峰强度增大。体内外实验均证明,利用所制备的AuNR@PNIPAM微凝胶,在外部近红外光刺激下动态调制温度场,可以获得对比度增强的光声图像。本工作可为开发温度响应型智能光声纳米探针从而增强成像对比度提供一定的参考。
生物光学 温度响应 相变 聚(N-异丙基丙烯酰胺) 对比度增强 
中国激光
2023, 50(21): 2107104
作者单位
摘要
1 中国核动力研究设计院,反应堆燃料及材料国家重点实验室,成都 610213
2 四川大学机械工程学院,成都 610065
为探究钎焊过程对SiC陶瓷晶体结构的影响,为钎焊工艺设计提供理论及试验数据支撑,本研究采用纯Ni箔作为中间层在1 100~1 245 ℃下实现了6H-SiC的钎焊连接,并研究了焊缝以及6H-SiC基体与焊缝界面处的微观形貌。研究结果表明,少量Ni原子在钎焊过程中会扩散进入6H-SiC陶瓷,并以固溶形式存在,降低了6H-SiC层错能。随着钎焊温度升高,6H-SiC/焊缝界面处的焊后残余应力增大,当钎焊温度达到1 245 ℃时,界面处的6H-SiC的(0001)面沿1/3 <1100>方向产生滑移, 6H-SiC切变形成3C-SiC。因此,SiC陶瓷在钎焊过程中受应力和钎料组成元素的作用发生相变,针对特殊环境使用的SiC陶瓷需要斟酌钎焊工艺对其晶体结构及性能的影响。
相变 钎焊 残余应力 6H-SiC 6H-SiC 3C-SiC 3C-SiC phase transformation brazing residual stress 
人工晶体学报
2023, 52(8): 1516

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