作者单位
摘要
江苏大学物理与电子工程学院,江苏 镇江 212013
最近阿秒钟实验中的隧穿延迟现象引起了人们对电子隧穿过程的非绝热性和隧穿时间的讨论。在强场条件下电子的隧穿延迟通常可以用Keldysh参数来预测,然而在少周期含包络正交偏振双色激光场作用下,Keldysh参数对隧穿延迟时间的预测与数值模拟结果不符,此时电子隧穿初始动量与隧穿过程中消耗的能量是影响隧穿延迟现象的重要因素。因此,有必要对上述激光场作用下两种因素对瞬时电离概率的影响进行讨论。通过改变正交偏振双色激光场强比以及相位差的方式,将它们对隧穿延迟时间的影响差异化,实现了对隧穿延迟时间的调控。最后,通过比较两者随电离时间的变化规律确定了少周期含包络正交双色激光场中隧穿耗能在隧穿延迟时间影响因素中的主导地位。这些发现有助于量化分析非绝热隧穿延迟时间,并为调控超快非绝热隧穿电离过程提供新思路。
非绝热隧穿电离 隧穿延迟时间 虚时间方法 电离初始动量 隧穿耗能 
激光与光电子学进展
2024, 61(5): 0532001
作者单位
摘要
昆明理工大学 信息工程与自动化学院, 昆明650000
研发大功率、高能量、高效率且能在室温下稳定运行的太赫兹辐射源是太赫兹技术领域迫切需要解决的实际问题。基于瞬态光电流模型, 采用数值仿真方法研究了三色激光脉冲诱导液体介质产生太赫兹波的物理过程, 分析了相位差、强度比、波长以及脉宽对太赫兹辐射的影响。仿真结果表明: 二次谐波和三次谐波相对于基波的相位差、强度比、波长、脉宽等都对太赫兹电场有明显的影响。同时, 只有电离率随着激光电场振荡变化的隧穿电离机制才能产生瞬态光电流, 从而得到太赫兹辐射。
太赫兹波 飞秒激光 隧穿电离 液体等离子体 terahertz wave femtosecond laser tunneling ionization liquid plasma 
光通信技术
2023, 47(2): 53
作者单位
摘要
中国科学院 西安光学精密机械研究所 瞬态光学与光子技术国家重点实验室,西安 710119
为了研究高次谐波极紫外阿秒脉冲产生过程中的谐波相位匹配问题,基于光场电离高次谐波产生过程3步分析模型得出了高次谐波产生过程的理论描述解析式,并以此分析了阿秒脉冲产生过程中的高次谐波本征原子相位。由研究可知,除最高阶谐波外,对同一阶高次谐波产生有贡献的电子均有两类——长轨迹电子和短轨迹电子,各高次谐波长轨迹电子产生的谐波谱相之间几乎不存在线性关系,而短轨迹电子产生的高次谐波谱相之间则存在着良好的线性关系。结果表明,抑制各谐波长轨迹电子有助于产生更小脉宽阿秒脉冲。此结果对极紫外阿秒脉冲产生实验中的高次谐波相位匹配有重要的参考价值。
非线性光学 高次谐波产生 隧穿电离 本征原子相位 nonlinear optics high-harmonic generation tunneling ionization intrinsic atomic phase 
激光技术
2012, 36(3): 342
作者单位
摘要
中国科学院上海光学精密机械研究所强光光学开放实验室, 上海 201800
对于在ω-2ω双色场作用下的原子,在两种不同电离机制下探讨了电离过程的相位效应.结果发现在隧穿机制下总电离率随相对相位的变化呈“∩”形,而在过势垒机制下呈“∪”形.研究说明利用双色场对原子电离过程进行相位控制是可行的.
双色场 相位控制 隧穿电离 过势垒电离 
光学学报
2001, 21(8): 897
作者单位
摘要
中国科学院上海光机所强光光学开放实验室,上海 201800
通过数值求解一维含时薛定谔方程,研究了原子在双色场作用下的电离和高次谐波及它们的相互关系。通过讨论两种不同的电离机制:隧穿电离机制和过势垒电离机制,发现电离变化的规律很相似,但高次谐波谱的变化规律却很不同。研究说明利用双色场对原子过程进行相位控制是可行的。
双色场 相干控制 隧穿电离 过势垒电离 高次谐波 
中国激光
2001, 28(7): 587

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