1 上海航天电子技术研究所, 上海 201109
2 西北工业大学凝固技术国家重点实验室, 西安 710072
Hg3In2Te6(简称MIT)是Ⅱ-Ⅵ/Ⅲ-Ⅵ族化合物半导体Hg(3-3x)In2xTe3中x=0.5时对应的稳定相。本文采用第一性原理方法, 系统地探究了Au在MIT中的稳定性和掺杂效率。计算结果表明: Au-Te键具有与Hg-Te相似的极性共价键特性, 表明Au在MIT中具有一定掺杂稳定性。此外, 发现Au在MIT中存在两性掺杂特性: Au在AuHg和AuIn体系中表现受主特性, Au-5d电子轨道分别在价带顶和-4 eV位置与Te-5p电子轨道形成共振, 形成受主杂质能级; 而Au在AuTe和AuI体系中表现施主特性, Au-5d与Hg-6s、In-5s电子轨道在导带底产生共振, 形成施主杂质能级。富Hg条件下, AuI、AuTe与AuHg之间会产生自我补偿效应, 费米能级被钉扎在价带顶, 而富Te条件下, 上述自我补偿效应将会得到有效消除。
掺杂 结构弛豫 自我补偿效应 杂质能级 第一性原理 MIT MIT doping structural relaxation self-compensation effect defect level first-principle
激光与光电子学进展
2019, 56(17): 170601
1 昆明理工大学 MEMS实验室, 云南 昆明 650500
2 香港城市大学 机械与生物医学工程学系, 中国 香港
针对毒品探测的需求, 对高灵敏度、高选择性及可工作于液相环境中的传感器进行了研究, 利用分子印迹技术(MIT), 结合薄膜体声波谐振器(FBAR)和微流体(micro fluidics)技术构造了新型传感器。首先, 阐述了用分子印迹技术制作FBAR吸附层材料的原理, 利用分子印迹技术制备了对特定毒品分子具有专一吸附性的印迹材料, 将其作为吸附层涂覆在基于微机电系统(MEMS)及微流体技术的FBAR上。根据压电方程和运动学方程推导出了FBAR压电振子的等效电路及电学端口输入阻抗公式, 构建了以AlN为压电材料的微流体结构FBAR毒品检测传感器模型。对该结构的FBAR传感器进行了理论研究和公式推导, 并在理论模型的基础上进行了仿真实验, 得到了单位面积质量响度达0.8 pg/Hz·cm2的FBAR传感器。得到的实验结果远高于石英晶体微天平这一传统的质量敏感型传感器, 可实现对溶液中毒品分子的快速检测。
微机电系统 薄膜体声波谐振器 分子印迹技术 微流体技术 毒品检测传感器 Micro-electro-mechanical Systems (MEMS) Film Bulk Acoustic Resonator (FBAR) Molecular Imprinting Technique (MIT) microchannel drug detection sensor
选择间苯二酚杯[4]芳烃硫醚衍生物(CA)作为声表面波(SAW)化学传感器敏感膜材料,结合分子印迹技术(MIT),在传感器金延迟线上以自组装(SA)的方法制作对有机膦化合物有选择性吸附能力的敏感膜,探讨了SAW-CA传感器检测甲基膦酸二甲酯(DMMP)过程中敏感膜的吸附机理.
间苯二酚杯[4]芳烃硫醚衍生物(CA) 声表面波(SAW) 自组装技术(SA) 分子印迹技术(MIT) 吸附浇机理
华南师范大学激光生命科学研究所暨激光生命科学教育部重点实验室,广东,广州,510631
DsRed-Mit是一种特异性定位于线粒体的荧光分子探针.本文重点探讨了DsRed-Mit探针在观察细胞凋亡形态学、以及凋亡过程中动态分子调控过程研究中的应用.实验结果表明,在细胞凋亡过程中应用该探针标记线粒体,能够直观地监测线粒体肿胀的形态变化,以及细胞凋亡的重要蛋白-Bax蛋白转位线粒体和细胞色素C释放的动态过程.
细胞凋亡 形态学研究 DsRed-Mit
