在工业领域中，通过铸造所制备的巴氏合金往往存在缺陷。为了探究如何减少巴氏合金在组织和性能上的缺陷，对比了通过传统浇铸和冷金属过渡焊接（CMT）两种方法在20钢基体上所制备巴氏合金层的组织和性能，并在其表面进行了激光重熔试验。利用金相显微镜、扫描电镜、能谱仪以及维氏硬度计等仪器检测了浇铸、堆焊巴氏合金和重熔巴氏合金层的组织和硬度，通过对比分析可知，CMT堆焊层组织较浇铸层更细，与钢基体的冶金结合更强。激光重熔在细化晶粒、消除粗大组织的同时，未产生偏析、气孔等缺陷。不同激光功率对于巴氏合金层的组织和性能影响各不相同，激光功率分别为300 W和500 W时，堆焊、浇铸试样的重熔层硬度达到最大值35.16 HV_0.025和36.92 HV_0.025。激光重熔对巴氏合金组织和性能的强化效果显著，对于滑动轴承的研究有着巨大的工程应用价值和发展前景。

倒置钙钛矿太阳能电池因具有器件结构简单、迟滞效应小和制造成本低等优点，受到了研究人员越来越多的关注。电子传输层作为钙钛矿太阳能电池中的重要组成部分，其作用主要是传输电子和阻挡空穴。对电子传输层进行改性，可以有效解决其表面粗糙、能级不匹配、电子迁移率低等问题，从而提高器件的光电转换效率。本文从电子传输材料的选择、电子传输层的界面修饰、掺杂作用和改性三方面综述了电子传输层对倒置钙钛矿太阳能电池的性能的影响，并对今后倒置钙钛矿太阳能电池实现商业化做出了展望。

A NiO/β-Ga₂O₃ heterojunction-gate field effect transistor (HJ-FET) is fabricated and its instability mechanisms are experimentally investigated under different gate stress voltage (V_G,s) and stress times (t_s). Two different degradation mechanisms of the devices under negative bias stress (NBS) are identified. At low V_G,s for a short t_s, NiO bulk traps trapping/de-trapping electrons are responsible for decrease/recovery of the leakage current, respectively. At higher V_G,s or long t_s, the device transfer characteristic curves and threshold voltage (V_TH) are almost permanently negatively shifted. This is because the interface dipoles are almost permanently ionized and neutralize the ionized charges in the space charge region (SCR) across the heterojunction interface, resulting in a narrowing SCR. This provides an important theoretical guide to study the reliability of NiO/β-Ga₂O₃ heterojunction devices in power electronic applications.

全无机CsPbBr₃钙钛矿太阳能电池中的电荷传输层与钙钛矿层界面的载流子复合是制约其光电转换效率进一步提升的关键因素。文中采用带隙和带边可调控的二维过渡金属硫族化合物（MoS₂、MoSe₂、WS₂和WSe₂）材料作为电子传输层和钙钛矿层之间的界面修饰材料和载流子传输材料，利用晶格匹配的范德华外延生长高质量的钙钛矿薄膜，同时通过界面能级补偿和势垒消减，降低钙钛矿层与电子传输层之间的界面电荷损失，促进全无机CsPbBr₃钙钛矿太阳能电池器件中载流子的提取与传输，使器件光电转换效率由初始的7.94%提高到10.02%，同时开路电压从1.474 V提升至1.567 V。该研究为制备高质量的钙钛矿薄膜同时实现界面能级匹配的高性能光电器件提供了一条新途径。

利用垂直WS₂/Ga₂O₃异质结构中异质界面诱导了反常的光致发光（PL）发射。垂直堆栈的WS₂/Ga₂O₃异质界面使其形成了II型能带结构，导致与Ga₂O₃层接触的底层WS₂的PL强度下降。而异质界面的强耦合作用也影响了双层WS₂中的同质层间相互作用，使得上层WS₂出现反常的PL增强。这种堆栈新型二维异质结构为定制目标能带结构并控制其光子和电子行为提供一种新的手段。

由于加工生产、发射振动以及空间温度交变等因素，星上载荷的安装接口会出现一定的形位误差，进而激光测高仪的光轴指向发生偏差。为了减小机械接口对载荷的影响，基于运动学安装的原理，设计了测高仪的支撑结构。在接口刚度匹配性分析的基础上，对支撑结构进行了设计优化。采用蒙特卡罗统计方法对星上接口的误差分布进行了分析，确定了载荷安装点的误差输入。通过分析与试验验证发现：所设计的支撑结构的一阶基频达到88 Hz，激光收发光轴安装时引起的光轴总偏离量约为8.5 μrad，力学振动引起的光轴总偏离量为30 μrad。热光试验表明，高低温边界处的光轴稳定度为8.5 μrad。所设计的支撑结构能够满足测高仪的使用指标要求。设计思路与试验结果对星载激光类载荷接口设计具有一定的参考性。

采用激光诱导方法在油膜?水的液?液界面附近生成单个空泡，利用两台高速相机双视角同步记录空泡溃灭过程和油膜上下界面的演化过程，探究无量纲距离γ、油膜厚度D对空泡溃灭特性和油膜形态演化的影响。结果表明，油膜?水界面附近生成的空泡在溃灭过程中会不断远离界面，并且产生背向界面的高速射流，空泡质心位移和回弹半径与各向异性参数ζ呈对数函数关系。在空泡溃灭影响下，油膜下界面受到扰动发生不同程度的形态演化，而油膜上界面则在空泡溃灭结束后产生变形。油膜上界面存在驼峰射流、细射流、阶梯射流三种典型模式，油膜下界面则存在微扰动、倒丘型变形、锥状变形三种典型模式。在驼峰射流模式中，射流无量纲最大高度h_m和γ呈幂函数关系。

在利用微电铸工艺制作惯性开关的过程中，经常会出现由于界面结合强度低而引起的铸层翘起问题。微电铸层与基板的界面结合强度低会降低微开关的制作成品率、延长制作周期、增加制作成本。针对这一问题，本文从界面钝化膜的角度，采用了“电解活化去除钝化膜”和“引入Cu过渡层”的方法。为探究钝化膜对界面结合强度的影响，通过Materials Studio软件对不同钝化膜去除率模型的界面结合能进行仿真计算，计算结果表明钝化膜去除率越高越有利于界面结合强度的提高，在完全去除钝化膜后界面结合强度提高了197%；为探究过渡金属对界面结合强度的影响，分别以Cu，Cr，Ti作为过渡层，与不锈钢基板和镍铸层建立结合层体系，计算体系的结合能，计算结果表明Cu与基板、Cu与铸层的结合能最高，与未引入过渡金属相比，引入Cu后界面结合强度提高了81%。在仿真研究结果的基础上，开展了电解活化实验，通过电解活化法去除了基板表面的钝化膜，实验结果表明：电解活化区域铸层的界面结合强度明显高于未活化区域铸层的界面结合强度；同时开展了铜过渡层实验，对比了有无Cu过渡层的界面结合强度，实验结果表明：引入Cu后，铸层的界面结合强度明显提高。在上述仿真和实验结果的基础上，制作出尺寸为23 mm×20 mm、总高度为900 μm的微惯性开关。