
Yuheng Zeng 1,2,3,*†Zetao Ding 1,2,3†Zunke Liu 1,2,3Wei Liu 1,3[ ... ]Jichun Ye 1,2,3,***
Author Affiliations
Abstract
1 Ningbo Institute of Materials Technology and Engineering, Chinese Academy of Sciences, Ningbo 315201, China
2 University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China
3 Zhejiang Engineering Research Center for Energy Optoelectronic Materials and Devices, Ningbo Institute of Materials Technology & Engineering, CAS, Ningbo 315201, China
4 Zhejiang Energy Group R & D, Hangzhou 310003, China
In this work, we developed a simple and direct circuit model with a dual two-diode model that can be solved by a SPICE numerical simulation to comprehensively describe the monolithic perovskite/crystalline silicon (PVS/c-Si) tandem solar cells. We are able to reveal the effects of different efficiency-loss mechanisms based on the illuminated current density-voltage (J-V), semi-log dark J-V, and local ideality factor (m-V) curves. The effects of the individual efficiency-loss mechanism on the tandem cell’s efficiency are discussed, including the exp(V/VT) and exp(V/2VT) recombination, the whole cell’s and subcell’s shunts, and the Ohmic-contact or Schottky-contact of the intermediate junction. We can also fit a practical J-V curve and find a specific group of parameters by the trial-and-error method. Although the fitted parameters are not a unique solution, they are valuable clues for identifying the efficiency loss with the aid of the cell’s structure and experimental processes. This method can also serve as an open platform for analyzing other tandem solar cells by substituting the corresponding circuit models. In summary, we developed a simple and effective methodology to diagnose the efficiency-loss source of a monolithic PVS/c-Si tandem cell, which is helpful to researchers who wish to adopt the proper approaches to improve their solar cells.
monolithic perovskite/silicon tandem solar cell efficiency-loss analysis dual two-diode model SPICE numerical simulation Journal of Semiconductors
2023, 44(8): 082702
1 浙江理工大学物理系,浙江省光场调控技术重点实验室,杭州 310018
2 浙江大学杭州国际科创中心, 浙江省宽禁带半导体重点实验室, 杭州 311200
3 浙江大学材料科学与工程学院, 硅材料国家重点实验室, 杭州 310027
宽禁带半导体材料碳化硅(SiC)凭借着其高击穿场强、高热导率、耐高温、高化学稳定性和抗辐射等优异性能, 在电力电子器件领域尤其是高温、高频、高功率等应用场景下有着巨大潜力。大尺寸、高质量、低成本的单晶SiC的制备是SiC相关半导体产品规模化应用的前提。顶部籽晶溶液生长(TSSG)法生长的单晶SiC有着晶体质量高、易扩径、易p型掺杂等优势, 有望成为制备单晶SiC的主流方法。但目前由于该方法涉及的生长机理复杂, 研究者对其内部机理的理解还不够充分, 难以对TSSG生长设备和方法进行有效的改进与优化。利用计算机对TSSG法生长单晶SiC生长过程进行数值模拟被认为是对其内部机理探究的有效途径之一。本文首先回顾了TSSG法生长单晶SiC和相关数值模拟分析的发展历程, 介绍了TSSG法生长单晶SiC和数值模拟的基本原理, 然后介绍了数值模拟方法计算分析TSSG法生长单晶SiC模型涉及的主要模块、影响单晶生长的主要因素(如马兰戈尼力、浮力、电磁力等), 以及对数值模型的优化方法。最后, 指出了数值模拟方法计算分析TSSG法生长单晶SiC在未来的重点研究方向。
宽禁带半导体 碳化硅 顶部籽晶溶液生长法 数值模拟 有限元 晶体生长 机器学习 wide bandgap semiconductor silicon carbide top-seeded solution growth numerical simulation finite element crystal growth machine learning
1 生态环境部核与辐射安全中心北京 100082
2 中国核电工程有限公司 核电安全研究中心北京 100840
核电厂发生堆芯熔毁严重事故后,堆芯熔融物可能熔穿反应堆压力容器壁面造成第二道屏障失效,此时可通过堆芯捕集器收集并冷却熔融物以防止事故进一步发展。为了探讨俄罗斯VVER(Vodo-Vodyanoi Energetichesky Reactor)采用的坩埚式堆芯捕集器中熔融物的冷却过程,本文根据VVER堆芯捕集器设计资料推导参数,采用多物理场耦合软件COMSOL建立相应的计算模型,对堆芯捕集器中熔融池的流场、温度场和结壳情况进行了数值模拟研究。计算结果表明:在分层熔融池结构下,金属层会迅速凝固,含衰变热的氧化物层冷却十分缓慢。为了实现坩埚式堆芯捕集器设计功能,需要相关设备和支持辅助系统在很长时间内保持可运行性。
严重事故 堆芯捕集器 VVER 熔融物 数值模拟 Severe accident Core catcher VVER Corium Numerical simulation
1 中国科学院上海技术物理研究所,上海200083
2 西北核技术研究所,陕西 西安 710024
3 中国科学院大学,北京100049
针对室温工作的光伏型碲镉汞中波红外探测器激光辐照饱和特性进行了仿真,结果表明,中红外激光对碲镉汞材料的加热效应以及光照导致零偏压阻抗降低,是影响探测器输出量子效率的重要因素。利用一维数值仿真方法,建立了室温碲镉汞pn结的模型,计算了稳态激光辐照下器件量子效率以及零偏压阻抗。理论计算了激光辐照下的稳态温度分布近似模型,并将温度场分布耦合到仿真计算中,发现衬底厚度会影响芯片的温升,从而显著影响器件饱和阈值的大小。另外,计算表明,随着光照强度的增加,器件的零偏压阻抗降低,并将仿真结果与实测芯片参数进行了比较。计算分析为设计高饱和辐照度阈值的中波红外碲镉汞探测器提供了参考。
激光辐照 温度场 饱和特性 数值仿真 laser irradiation temperature field saturation properties numerical simulation
中国激光
2023, 50(16): 1602306
激光与光电子学进展
2023, 60(13): 1314003
强激光与粒子束
2023, 35(6): 062001
1 哈尔滨工业大学 先进焊接与连接国家重点实验室,黑龙江 哈尔滨 150001
2 北京动力机械研究所,北京 100074
航天发动机供油装置的喷油流量均匀性是决定其性能质量的关键技术指标,其中供油孔的形状尺寸、内表面状态是喷油流量的重要影响因素。传统的供油孔加工方法以电火花加工为主,存在较厚的重铸层,且加工效率低。而激光制孔为典型的非接触式制孔方法,具有加工效率高、质量好,重铸层少的显著优势。为满足某型号航天发动机供油装置的高效高质量制造要求,采用脉宽为200 fs的超短脉冲飞秒激光螺旋制孔工艺,针对1.5 mm厚的GH3044镍基合金材料开展了以0.39 mm孔径为加工基准的流量数值模拟及工艺试验研究。首先通过数值模拟手段,研究了孔径、圆度、锥度以及内壁粗糙度对供油孔流量的影响规律和控制手段,之后根据模拟所获得的理论结果,通过飞秒激光制孔试验对制孔工艺进行了优化。研究发现,出入口孔径是决定流量大小最重要的因素,在单脉冲能量140 μJ,单层扫描时间1200 ms,单层进给量0.02 mm,重复频率100 kHz,旋转速度2400 r/min的工艺下,将孔径偏差控制在±5 μm以内,最终成功实现了供油孔流量偏差1.8%的制孔效果。
飞秒激光 供油孔 数值模拟 螺旋钻孔 femtosecond laser oil injection hole numerical simulation helical drilling 红外与激光工程
2023, 52(4): 20220454