CuI薄膜可以通过Cu金属膜的碘化法来制备, 为了优化碘化法CuI薄膜的光电特性, 本文通过层层碘化法制备了CuI薄膜样品, 并采用后退火和层层退火两种方式处理CuI样品, 对薄膜样品的结构特性、表面形貌和光电性能进行了分析。结果表明, 层层退火方式有效提高了样品的结晶度, 而后退火方式则有利于薄膜表面CuI的二维平面移动, 从而增加了薄膜表面的致密性。后退火方式将CuI薄膜的透过率提高至80%~90%, 层层退火方式将CuI薄膜的电阻率优化至0.034 Ω·cm。

Cu2ZnSnS4薄膜因其元素地壳含量丰富、无毒且具有优异的光电性能, 受到研究者的广泛关注。本文基于纳米墨水法用Cd部分取代Zn制成了Cu2(CdxZn1-x)SnS4(CCZTS)薄膜, 研究退火时间和后退火温度对薄膜及其太阳电池性能的影响。研究结果表明, 所制备的薄膜为CCZTS相, 无其他杂相, 薄膜表面平整且致密, 结晶性较好。随着退火时间增加, 薄膜的晶粒尺寸有所增大, 薄膜太阳电池的pn结质量得到提升, 其性能也随之提高。通过对薄膜太阳电池进行后退火处理, 分析了吸收层的元素扩散对电池性能的影响, 在Cd元素形成梯度分布时, 电池性能有所提高。随着后退火温度的增加, 其电池性能和pn结质量呈现先提高后下降的趋势。经后退火300 ℃处理后, 电池转换效率最佳, 为3.13%。

采用射频磁控溅射技术在硅衬底上制备了锰钴镍氧(Mn-Co-Ni-O, MCNO)薄膜并进行了后退火处理。利用X射线衍射、扫描电子显微镜、光学测试仪器等测试手段对晶体结构、表面形貌及光学性能进行表征。分析了不同射频溅射功率(60~100 W)对MCNO薄膜表面微观形貌、晶体结构和光学性能的影响。结果表明，在60~90 W下获得的薄膜表面致密且均匀，但在100 W下获得的MCNO薄膜表面晶粒尺寸显著增大。物相分析表明，采用射频磁控溅射沉积的MCNO薄膜主要为尖晶石结构，溅射功率对薄膜结晶质量和择优取向具有显著影响，在80 W下获得的MCNO薄膜结晶质量最佳。同时，拉曼光谱测试也表明该MCNO薄膜表现出最强的Mn4+-O对称弯曲振动和最小的压应力。紫外-可见-近红外光谱分析表明，MCNO薄膜的吸光范围主要在可见光-近红外波段，在80~90 W溅射功率下获得的MCNO薄膜在近红外波段表现出更强的吸收峰。射频溅射功率的改变会影响薄膜的厚度和结晶质量，从而对薄膜的光学带隙起到调控作用。光致发光光谱测试不同溅射功率下薄膜的缺陷峰发光强度，且在功率为80 W时沉积的薄膜具有最强紫外发射峰，表明改变溅射功率能够有效改善薄膜缺陷及提高晶体质量。

采用射频磁控溅射法, 在石英玻璃衬底上制备出了性能良好的H掺杂AZO透明导电薄膜, 通过XRD、Hall、UV-Vis等测试手段, 研究了氩气气氛中退火温度对薄膜电学热稳定性的影响。实验结果显示, 随着退火温度的升高, 薄膜中载流子的浓度和迁移率下降。分析认为, 这与薄膜中氢的逸出密切相关。

采用射频反应磁控溅射法退火生长得到了Na-N共掺杂p-ZnO薄膜。XRD测试结果表明，退火前后均得到c轴择优取向的ZnO薄膜。Hall测试结果表明：退火后薄膜的电学性能明显改善，得到了p-ZnO薄膜，退火温度为450 ℃时取得最佳电学性能：室温电阻率为139.2 Ω·cm，迁移率为0.2 cm2·V-1·s-1，空穴浓度为2.5×1017 cm-3。XPS分析表明：Na掺入ZnO中作为受主NaZn而存在，N主要以N—H键的形式存在，其受主NO的作用不明显，但是否存在NaZn-NO受主复合体，还需进一步的研究。

利用一种共蒸发及后退火的方法制备出包埋在氧化镁薄膜基质中的氧化锌量子点。经过退火之后进行的X射线衍射(XRD)实验表明了氧化锌的形成。在室温条件下, 经过900 ℃和1000 ℃退火的样品的光致发光(PL)谱中在375 nm附近表现出强的紫外光发射。从77 Κ到室温的变温光致发光谱的结果表明限制在氧化镁基质中的氧化锌量子点具有比较大的激子束缚能。此外,还讨论了退火温度和发光性质的关系。