作者单位
摘要
1 天津工业大学 电气工程与自动化学院, 天津 300160
2 半导体照明工程研发中心, 天津 300160
采用0.35 μm 双栅标准CMOS工艺设计和制备了叶型硅发光器件。叶型硅发光器件由3个楔型器件的组合而成, pn结结构为n阱/p+结。使用奥林巴斯IC显微镜测得了器件的显微图形, 并对器件进行了电学特性测试。器件工作在雪崩击穿下, 开启电压为8.8 V, 能够发出黄色可见光; 正向偏置下, 器件开启电压为0.8 V。在与已经制备的楔型器件比较时发现, 器件发光受串联电阻分压影响, 并且有点增强发光现象, 这些情况均与器件的电极布局有关。
硅LED CMOS工艺 电极版图 silicon LED standard CMOS technology layout of electrode 
发光学报
2011, 32(4): 374
作者单位
摘要
1 Electronic and Information School, Tianjin University,Tianjin 300072, CHN
2 Information and Communication Inst., Tianjin Polytechnic University, Tianjin 300160, CHN
3 Institute of Semiconductors of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, CHN
silicon LED standard CMOS technology electric field confinement effect 
半导体光子学与技术
2010, 16(2-3): 83
作者单位
摘要
School of Information and Communication Engineering, Tianjin Polytechnic University, Tianjin 300160, CHN
PERL structure silicon LED inverted pyramids TMAH 
半导体光子学与技术
2009, 15(4): 229

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