期刊基本信息
创刊:
1994年 • 月刊
名称:
现代显示
英文:
ADVANCED DISPLAY
主管单位:
北京市工业促进局
主办单位:
北京通信信息协会
主编:
温景梧
副主编:
周身颐、张玮
ISSN:
1006-6268
刊号:
CN 11-3670/TN
电话:
010-51668992
邮箱:
地址:
北京市丰台区张仪村50号
邮编:
100166
定价:
10元/期

本期栏目 2012, 23(12)

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现代显示 第23卷 第12期

作者单位
摘要
现代显示
2012, 23(12): 1
作者单位
摘要
1 苏州工业职业技术学院电子系, 江苏 苏州 215104
2 金龙联合汽车工业(苏州)有限公司,江苏 苏州 215021
本系统是以单片机MSP430F149为核心电路设计的恒流方式的电子负载。电子负载包括控制器、显示电路、恒流电路和电压电流检测等电路,电路利用取样和采集电路获取流经电子负载的电流和电压值,送入单片机内部集成的A/D转换器,并经过运算处理控制D/A输出,控制恒流电路,从而使直流电子负载输出电流实现设定功能,通过显示模块显示电压和电流。
电子负载 恒流 electronic load MSP430F149 MSP430F149 constant current (CC) 
现代显示
2012, 23(12): 10
作者单位
摘要
福州大学物理与信息工程学院,福建 福州 350108
硫化锌(ZnS)是一种性能优异的半导体材料/发光材料,在ZnS走向商业化的过程中,良好的ZnS质量和理想的掺杂技术是关键。为此,文章就ZnS作为半导体材料和发光材料的的掺杂技术分别作简要分类和评述,并分述其优缺点,这对ZnS材料技术的发展、各技术间相互借鉴交叉具有一定的意义。
硫化锌 掺杂 发光材料 半导体 Zinc Sulphide doping technology luminescent material semiconductor 
现代显示
2012, 23(12): 15
作者单位
摘要
石家庄诚志永华显示材料有限公司,河北 石家庄 050061
文章简单介绍了几种液晶显示的广视角技术,着重对聚合物稳定液晶垂直取向技术(polymer stabilized vertically aligned,PSVA)进行了概括,包括聚合物稳定液晶垂直取向技术的发展历史、技术优势和研究进展,以及对该项技术的进一步产业化和未来的发展趋势进行预测。与传统的VA器件相比,PSVA改进了器件的电光特性,特别是上升时间,同时不需要MVA器件和PVA器件中在图案电极上的突起物。为了更好地发挥PSVA的技术优势,要优化像素结构以形成稳定的多个液晶指向矢,其次,固化电压、固化强度、固化能量等UV固化条件以及可聚合单体在液晶中的含量需要优化。
液晶 聚合物 预倾角 多畴垂直取向 liquid crystal polymer pretilt angle multi-domain vertical alignment 
现代显示
2012, 23(12): 21
作者单位
摘要
1 中国海洋大学电子系,山东 青岛 266100
2 青岛海信电器股份有限公司,山东 青岛 266071
文章提出了一种新型的适用于直下式LED的V型反射槽,使直下式LED背光模组设计突破LED间距的限制,通过反射槽的光学设计消除由LED间距增大所造成MURA光学不良现象。
V型反射槽 直下式LED V reflection slot direct type LED MURA MURA 
现代显示
2012, 23(12): 27
作者单位
摘要
1 中国海洋大学电子系,山东 青岛 266100
2 青岛海信电器股份有限公司,山东 青岛 266071
文章基于AMOLED的显示特点以及驱动IC的接口要求,以FPGA为核心设计了AMOLED显示的驱动控制系统,包括显示数据处理、输出时序控制等模块,并通过集成开发软件Quartus II对整个系统进行了仿真,得到了正确的仿真波形,实现了分辨率为1,280×800的AMOLED的高清晰度显示。
驱动控制系统 时序控制 drive control system FPGA FPGA timing control 
现代显示
2012, 23(12): 31
作者单位
摘要
合肥工业大学仪器科学与光电工程,安徽 合肥 230009
文章提出了一种基于DVD原理的非接触光学聚焦探头,它由商用DVD读取头改装而成,已经完成设计与制作。实验结果表明,此非接触探头分辨率优于1nm,测量重复性可达12 nm。目前此非接触触发探头已应用于纳米三坐标测量机上。
DVD光学读取头 非接触探头 纳米三坐标测量机 DVD optical pickup head non-contact probe Nano-CMM 
现代显示
2012, 23(12): 35
作者单位
摘要
福州大学物理与信息工程学院,福建 福州 350108
采用真空热蒸发工艺,在ITO基片上分别制备ZnS薄膜和In薄膜,在正交实验条件下,以2%掺杂浓度的In原子掺杂可获得较高的载流子浓度,在此基础上,研究了不同退火温度对ZnS:In薄膜的光、电性能的影响。
ZnS薄膜 In掺杂 真空热蒸发 光电性能 退火 thin film of ZnS In doping thermally vacuum-evaporation photoelectric properties annealing 
现代显示
2012, 23(12): 5
作者单位
摘要
现代显示
2012, 23(12): 56