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本文中在硅平面上设计了一种基于二氧化钒（VO2）超材料的可调谐太赫兹（THz）宽带吸收器，该吸收器由VO2谐振层和被SiO2介质隔开的金属反射层组成。数值仿真结果表明，当VO2处于高温（67 ℃）状态时表现为金属相，其吸收率大于90%的吸收带宽达到了2 THz，并且在4.5 THz和5.8 THz处达到了99.3%和99.6%的完美吸收。而当VO2处于低温（49 ℃）时则表现为绝缘相，相应的宽频吸收带内的峰值吸收率仅为8%。因此，通过改变吸收器结构中VO2材料所处的环境温度，可以实现宽频带内吸收率的动态调谐，以及吸收和反射功能的切换。此外，由于结构的对称性，所提出的吸收器在垂直入射的时候具有偏振不敏感特性，并且在大入射角度范围内保持着良好的吸收性能。因此，本文所提出的结构可广泛应用于高性能的太赫兹光学器件的设计，如成像、调制等。

龚江, 宗容, 李辉, 段韬. 基于二氧化钒的太赫兹超材料动态可调宽带吸收器[J]. 激光与光电子学进展, 2021, 58(03): 1.  复制并引用该论文