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激光与光电子学进展
ESCI,SCOPUS,CJCR,CSCD,北图
2021年第58卷第07期1页
用于1550nm吸收增强的微纳阵列复合结构设计
录用时间:2020-08-25
论文栏目
05
作者单位
1 西安工业大学
2 西安工业大学光电工程学院
论文摘要
为了增强通信系统中光电探测器件对波长为1550nm光的吸收,本文提出了一种包含硅栅、纳米银球和缓冲层的微纳复合结构,借助金属表面等离子激元共振局域场增强效应,以及硅栅的陷光和耦合作用,提高复合微纳阵列结构对光的吸收。利用FDTD软件计算仿真光经过填充了银纳米球和氧化铝的硅栅复合微结构阵列的光场分布,分析了硅柱阵列占空比、硅柱边长、高度以及填充物等对吸收性能的影响。研究结果表明:当硅栅线/间隔比为1:1、硅柱边长为800~1000nm、硅柱间隙内填充的纳米银球直径为间隙宽度的一半,且铺满间隙底部,并在其上覆盖氧化铝时,复合结构吸收率随硅柱阵列周期和柱高不同能达到22.88 ~ 57.53%,对波长为1550nm的近红外光具有显著增强吸收作用。
引用本文
季雪淞, 张锦, 杨鹏飞, 孙国斌, 蒋世磊, 杨柳. 用于1550nm吸收增强的微纳阵列复合结构设计[J]. 激光与光电子学进展, 2021, 58(07): 1. 
DOI:10.3788/lop58.070501
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