中国激光, 2008, 35 (4): 509, 网络出版: 2008-04-21
4H-SiC金属-半导体-金属结构紫外探测器的模拟与分析
Simulation and Analysis of 4H-SiC Metal-Semiconductor-Metal Ultraviolet Photodetector
基本信息
| DOI: | -- |
| 中图分类号: | TN 36; TN 303 |
| 栏目: | 实验技术与元件 |
| 项目基金: | 装备预研项目(51323040118,513080302)资助课题。 |
| 收稿日期: | 2007-08-10 |
| 修改稿日期: | 2007-10-24 |
| 网络出版日期: | 2008-04-21 |
| 通讯作者: | 张军琴 (zhangjunqin@sina.com) |
| 备注: | -- |
张军琴, 杨银堂, 卢艳, 娄利飞, 赵妍. 4H-SiC金属-半导体-金属结构紫外探测器的模拟与分析[J]. 中国激光, 2008, 35(4): 509. Zhang Junqin, Yang Yintang, Lu Yan, Lou Lifei, Zhao Yan. Simulation and Analysis of 4H-SiC Metal-Semiconductor-Metal Ultraviolet Photodetector[J]. Chinese Journal of Lasers, 2008, 35(4): 509.
PDF全文
