激光与光电子学进展, 1985, 22 (4): 47, 网络出版: 2013-07-26
InGaAsP激光器和驱动电路的单片集成
摘要
日本松下电气工业公司中心研究实验室对InGaAsP 二极管激光器和驱动电路在单片InP基片上单片集成已进行了实验验证。驱动电路以异质结双极晶体管为基础。用掩埋式异质结二极管激光器掩埋外延层制成。研制者已经实现了一个关键性的集成指标，即能够高速运转，用集成电路可以以1.6 GHz的速率调制激光输出。
Abstract
参考文献
仲振. InGaAsP激光器和驱动电路的单片集成[J]. 激光与光电子学进展, 1985, 22(4): 47. 仲振. [J]. Laser & Optoelectronics Progress, 1985, 22(4): 47.
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