半导体光电, 2016, 37 (5): 688, 网络出版: 2016-11-18  

基于金属背支撑刻蚀技术的柔性AlGaInP/AlGaAs/GaAs三结太阳电池研制

Study on Fabrication of AlGaInP/AlGaAs/GaAs Inverted Triple Junction Solar Cells Using Metal-Backed Etching Technique
作者单位
1 上海大学 材料科学与工程学院, 上海 200444
2 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 中国科学院纳米器件与应用重点实验室, 江苏 苏州 215123
3 上海空间电源研究所 光伏研究中心, 上海 200245
基本信息
DOI: 10.16818/j.issn1001-5868.2016.05.019
中图分类号: TN36
栏目: 材料、结构及工艺
项目基金: 国家自然科学基金项目(61176128,61404157,61534008)、 国家“863”计划项目(2013AA050403)、 苏州市应用基础基金项目(SYG201437).
收稿日期: 2016-01-26
修改稿日期: --
网络出版日期: 2016-11-18
通讯作者:
备注: --

卢建娅, 谭明, 杨文献, 陆书龙, 张玮, 黄健. 基于金属背支撑刻蚀技术的柔性AlGaInP/AlGaAs/GaAs三结太阳电池研制[J]. 半导体光电, 2016, 37(5): 688. LU Jianya, TAN Ming, YANG Wenxian, LU Shulong, ZHANG Wei, HUANG Jian. Study on Fabrication of AlGaInP/AlGaAs/GaAs Inverted Triple Junction Solar Cells Using Metal-Backed Etching Technique[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2016, 37(5): 688.

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