1 上海大学 材料科学与工程学院, 上海 200444
2 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 中国科学院纳米器件与应用重点实验室, 江苏 苏州 215123
3 上海空间电源研究所 光伏研究中心, 上海 200245
对柔性GaAs基太阳电池的制备方法进行研究, 报道了一种用于制备柔性倒置生长的AlGaInP/AlGaAs/GaAs三结太阳电池的剥离和转移方法——金属背支撑选择性湿法刻蚀技术。在GaAs/GaInP选择性腐蚀的基础上进行了GaAs衬底层的腐蚀, 研究了不同类型和体积比的溶液对GaAs/GaInP/AlInP结构腐蚀的选择特性, 最终选用不同配比的H2SO4-H2O2系腐蚀液, 获得快速、可控制、重复性好的去除衬底的两步腐蚀法。原子力显微镜测试结果表明, 通过此方法能够成功地将电池外延层薄膜转移到Cu衬底上, 并且在剥离和转移过程中外延层薄膜没有受到损伤。柔性AlGaInP/AlGaAs/GaAs三结太阳电池的开路电压超过3.4V。
太阳电池 柔性薄膜 湿法腐蚀 重量比功率 AlGaInP/AlGaAs/GaAs AlGaInP/AlGaAs/GaAs solar cell flexible film wet etching power-to-weight ratio
1 北京科技大学数理学院 物理系, 北京100083
2 中国科学院纳米器件与应用重点实验室 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所, 江苏 苏州215123
采用分子束外延(MBE)生长技术生长了周期厚度不同的1 eV吸收带边的GaN0.03As0.97/In0.09Ga0.91As应变补偿短周期超晶格(SPSL)。高分辨率X射线衍射(HRXRD)测量结果显示,当周期厚度从6 nm增加到20 nm时,超晶格的结晶质量明显改善。然而,当周期厚度继续增加时,超晶格品质劣化。对超晶格周期良好的样品通过退火优化,获得了具有低温光致发光现象的高含N量GaNAs/InGaAs超晶格,吸收带边位于1 eV附近。使用10个周期的GaNAs/InGaAs超晶格(10 nm/10 nm)和GaAs组成的p-i-n太阳电池的短路电流达到10.23 mA/cm2。经聚光测试获得的饱和电流密度、二极管理想因子与由电池暗态电流-电压曲线得到的结果一致。
超晶格 太阳电池 分子束外延生长 GaNAs GaNAs superlattice solar cells MBE
