强激光与粒子束, 2004, 16 (6): 685, 网络出版: 2006-05-15   

硅光电二极管激光损伤阈值随激光脉宽的变化

Variation in damage thresholds of Si photodiodes with laser pulse duration
作者单位
中国工程物理研究院,流体物理研究所,四川,绵阳,621900
基本信息
DOI: --
中图分类号: TN249
栏目: 高功率激光与光学
项目基金: 国家863计划项目资助课题
收稿日期: 2003-09-28
修改稿日期: 2004-01-04
网络出版日期: 2006-05-15
通讯作者:
备注: --

罗福, 江继军, 孙承纬. 硅光电二极管激光损伤阈值随激光脉宽的变化[J]. 强激光与粒子束, 2004, 16(6): 685. LUO Fu, JIANG Ji-jun, SUN Cheng-wei. Variation in damage thresholds of Si photodiodes with laser pulse duration[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2004, 16(6): 685.

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