中国激光, 2020, 47 (7): 0701026, 网络出版: 2020-07-10   

2.75 μm中红外GaSb基五元化合物势垒量子阱激光器 下载: 1139次特邀研究论文

2。75-μm Mid-Infrared GaSb-Based Quantum Well Lasers with Quinary Alloy Barrier
作者单位
1 中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室, 北京 100083
2 中国科学院大学材料科学与光电技术学院, 北京 100049
3 光电信息控制和安全技术重点实验室, 天津 300308
4 山西大学物理与电子工程学院固体量子材料中心实验室, 山西 太原 030006
5 北京量子信息科学研究院, 北京 100193
基本信息
DOI: 10.3788/CJL202047.0701026
中图分类号: TN248.4
栏目: “半导体激光器”专题
项目基金: 国家自然科学基金、广东省科技计划项目、
收稿日期: 2020-01-16
修改稿日期: 2020-03-05
网络出版日期: 2020-07-10
通讯作者:
备注: --

袁野, 柴小力, 杨成奥, 张一, 尚金铭, 谢圣文, 李森森, 张宇, 徐应强, 宿星亮, 牛智川. 2.75 μm中红外GaSb基五元化合物势垒量子阱激光器[J]. 中国激光, 2020, 47(7): 0701026. Yuan Ye, Chai Xiaoli, Yang Chengao, Zhang Yi, Shang Jinming, Xie Shengwen, Li Sensen, Zhang Yu, Xu Yingqiang, Su Xingliang, Niu Zhichuan. 2。75-μm Mid-Infrared GaSb-Based Quantum Well Lasers with Quinary Alloy Barrier[J]. Chinese Journal of Lasers, 2020, 47(7): 0701026.

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