图像是现代化战争的重要信息来源，雾天环境下图像质量下降，严重妨碍光电侦察识别能力。为提高雾气环境下图像有效利用性，开展了适应性双通道先验的图像去雾方法研究。首先，以暗通道先验理论与亮通道先验理论为基础，将有雾图像从 RGB 空间转换到 HSV 颜色空间，使用饱和度和亮度分量的阈值来检测有雾图像中分别不满足暗通道先验和亮通道先验的白色或亮色像素点和黑色或暗色像素点；然后，选用超像素作为暗通道和亮通道计算的局部区域，估计局部透射率和大气光值；最后，由于亮暗双通道方法对白色和黑色像素点的透射率和大气光值进行错误估计，采用本文提出的适应性双通道先验方法进行矫正，通过导引滤波器对透射率图和大气光图进行滤波，代入到大气散射模型中，求得清晰的去雾图像。实验结果表明，去雾后的图像恢复了真实颜色、视觉效果自然、清晰，准确高效地实现图像的去雾处理；在FRIDA数据集上进行去雾处理，采用本文方法的去雾图像与真值的均方误差优于现有方法，相较于双通道先验去雾方法的均方差值降低了15%。

通过MBE外延系统生长了1.3 μm的GaAs基InAs量子点激光器.为了获得更好的器件性能，InAs量子点的最优生长温度被标定为520 ℃，并且在有源区中引入Be掺杂.制备了脊宽100 μm，腔长2 mm的激光器单管器件，在未镀膜的情况下，达到了峰值功率1.008 W的室温连续工作，阈值电流密度为110 A/cm^-2，在80℃下仍然可以实现连续工作，在50 ℃以下范围内，特征温度达到405 K.

2~4 μm波段是非常重要的红外大气窗口，工作在这个波段的激光器在气体检测，医疗美容和工业加工领域具有十分巨大的应用价值。锑化物半导体材料低维结构具有窄禁带直接跃迁发光的独特优势，是实现中红外波段半导体激光器的理想材料体系。近年来，国内外锑化物半导体激光器研究不断取得重要进展，先后实现了量子阱发光的波长拓展、大功率单管和阵列激光器的室温连续激射，也实现了多波段的单模激光器的室温连续工作。锑化物半导体低维材料组分复杂、界面钝化性质特殊，材料外延和工艺制备技术难度较大。文中从锑化物半导体激光器的基本原理出发，综述了国内外研究现状，介绍了锑化物材料低维结构激光器的设计方案、关键制备技术的主要进展，分析了今后该类激光器性能优化的重点研发方向等。