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相同关键词【characteristics temperature】论文列表

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Materials and Devices

利用分子束外延在GaAs基上生长高特征温度的InAs量子点激光器

袁野 ^1,2苏向斌 ^1,2杨成奥 ^1,2张一 ^1,2[ ... ]牛智川 ^1,2,3,4

作者单位

摘要

¹ 中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室，北京　100083

² 中国科学院大学材料科学与光电技术学院，北京　100049

³ 北京量子信息科学研究院，北京　100193

⁴ 山西大学物理与电子工程学院固体量子材料中心实验室，山西太原　030006

通过MBE外延系统生长了1.3 μm的GaAs基InAs量子点激光器.为了获得更好的器件性能，InAs量子点的最优生长温度被标定为520 ℃，并且在有源区中引入Be掺杂.制备了脊宽100 μm，腔长2 mm的激光器单管器件，在未镀膜的情况下，达到了峰值功率1.008 W的室温连续工作，阈值电流密度为110 A/cm^-2，在80℃下仍然可以实现连续工作，在50 ℃以下范围内，特征温度达到405 K.

量子点激光器分子束外延特征温度中红外 quantum dot laser molecular beam epitaxy characteristics temperature mid-infrared

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红外与毫米波学报

2020, 39(6): 667

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