发光学报, 2012, 33 (5): 519, 网络出版: 2012-06-11
AlN插入层对aAlGaN的外延生长的影响
Effect of AlN Interlayer on aplane AlGaN Grown by MOCVD
基本信息
DOI: | 10.3788/fgxb20123305.0519 |
中图分类号: | O47 |
栏目: | 器件制备与器件物理 |
项目基金: | 国家基础研究发展计划(2011CB301901); 国家自然科学基金(51072196,51072195,60976011)资助项目 |
收稿日期: | 2012-02-08 |
修改稿日期: | 2012-03-12 |
网络出版日期: | 2012-06-11 |
通讯作者: | 贾辉 (jia8488ciomp@hotmail.com) |
备注: | -- |
贾辉, 陈一仁, 孙晓娟, 黎大兵, 宋航, 蒋红, 缪国庆, 李志明. AlN插入层对aAlGaN的外延生长的影响[J]. 发光学报, 2012, 33(5): 519. JIA Hui, CHEN Yiren, SUN Xiaojuan, LI Dabing, SONG Hang, JIANG Hong, MIAO Guoqing, LI Zhiming. Effect of AlN Interlayer on aplane AlGaN Grown by MOCVD[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2012, 33(5): 519.