发光学报, 2012, 33 (5): 519, 网络出版: 2012-06-11   

AlN插入层对aAlGaN的外延生长的影响

Effect of AlN Interlayer on aplane AlGaN Grown by MOCVD
作者单位
1 发光学及应用国家重点实验室 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所, 吉林 长春130033
2 中国科学院 研究生院 , 北京100039
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贾辉, 陈一仁, 孙晓娟, 黎大兵, 宋航, 蒋红, 缪国庆, 李志明. AlN插入层对aAlGaN的外延生长的影响[J]. 发光学报, 2012, 33(5): 519. JIA Hui, CHEN Yiren, SUN Xiaojuan, LI Dabing, SONG Hang, JIANG Hong, MIAO Guoqing, LI Zhiming. Effect of AlN Interlayer on aplane AlGaN Grown by MOCVD[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2012, 33(5): 519.

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