激光与光电子学进展, 1981, 18 (10): 25, 网络出版: 2013-08-01
用湿式化学蚀刻法制作的蚀刻腔镜GaInAsP/InP条形激光器
摘要
单片蚀刻平面腔镜GaInAsP/InP条形激光器(1.3微米)是利用湿式化学蚀刻法制作的。条宽20微米的激光器,其电流阈值为300亳安(室温,脉冲工作),比相应的解理腔镜激光器高50%左右。当驱动电流到1.5Ith伪时,接近单模运转,这巳用~180微米的腔长获得。
Abstract
王效敬. 用湿式化学蚀刻法制作的蚀刻腔镜GaInAsP/InP条形激光器[J]. 激光与光电子学进展, 1981, 18(10): 25. 王效敬. [J]. Laser & Optoelectronics Progress, 1981, 18(10): 25.