激光与光电子学进展, 1981, 18 (10): 25, 网络出版: 2013-08-01
用湿式化学蚀刻法制作的蚀刻腔镜GaInAsP/InP条形激光器
摘要
单片蚀刻平面腔镜GaInAsP/InP条形激光器(1.3微米)是利用湿式化学蚀刻法制作的。条宽20微米的激光器，其电流阈值为300亳安(室温，脉冲工作)，比相应的解理腔镜激光器高50%左右。当驱动电流到1.5Ith伪时，接近单模运转，这巳用~180微米的腔长获得。
Abstract
参考文献
王效敬. 用湿式化学蚀刻法制作的蚀刻腔镜GaInAsP/InP条形激光器[J]. 激光与光电子学进展, 1981, 18(10): 25. 王效敬. [J]. Laser & Optoelectronics Progress, 1981, 18(10): 25.
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