中国激光, 2018, 45 (7): 0702001, 网络出版: 2018-09-11 复制并引用该论文  本文已被引 6 次  被引通知

图 & 表

图 1. LCD技术的工作原理

Fig. 1. Working principle of LCD technology

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图 2. 不同B含量下LCD-TC4的组织形貌。(a)放大200倍;(b)放大500倍

Fig. 2. Microstructures of LCD-TC4 under different B mass fractions. (a) Magnification of 200 times; (b) magnification of 500 times

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图 3. B对钛合金晶粒的细化机制。(a) β相形核;(b) B富集在固液界面;(c)共晶反应;(d)沿晶界析出硼化物

Fig. 3. Mechanism of B refining of titanium alloy grains. (a) β phase nuclei; (b) B accumulated at solid-liquid interface; (c) eutectoid reaction; (d) boron precipitated along grain boundary

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图 4. 不同感应加热温度下LCD-TC4的组织形貌。(a)放大200倍;(b)放大500倍

Fig. 4. Microstructures of LCD-TC4 under different induction heating temperatures. (a) Magnification of 200 times; (b) magnification of 500 times

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图 5. 片状α相尺寸随温度的变化

Fig. 5. Lamellar α phase size versus temperature

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图 6. (a) TC4的CET仿真曲线[20];(b)柱状晶形成过程;(c)截断柱状晶的过程

Fig. 6. (a) CET simulation curves of TC4[20]; (b) formation process of columnar crystals; (c) truncation process of columnar crystal

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图 7. 感应加热辅助B对LCD-TC4组织形貌的影响。(a)放大200倍;(b)放大500倍

Fig. 7. Effect of induction heating assisted B on microstructures of LCD-TC4. (a) Magnification of 200 times;(b) magnification of 500 times

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表 1TC4粉末和基板的化学成份(质量分数,%)

Table1. Chemical compositions of TC4 powder and substrate (mass fraction, %)

Material Al V Fe C O N H Ti TC4 powder 6.1 4.1 0.12 0.01 0.13 <0.01 0.001 Bal. TC4 substrate 6.2 4.3 0.13 0.02 0.12 0.01 0.002 Bal.

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梁朝阳, 张安峰, 李丽君, 王豫跃, 张金智, 王宏. 感应加热辅助变质剂硼细化激光熔覆沉积TC4晶粒的研究[J]. 中国激光, 2018, 45(7): 0702001. Zhaoyang Liang, Anfeng Zhang, Lijun Li, Yuyue Wang, Jinzhi Zhang, Hong Wang. Induction Heating Assisted Modifier Boron Refining of TC4 Grains by Laser Cladding Deposition[J]. Chinese Journal of Lasers, 2018, 45(7): 0702001.