强激光与粒子束, 2006, 18 (11): 1873, 网络出版: 2007-05-22  

高功率电磁脉冲对砷化镓金属半导体场效应管的影响

Numerical simulation of the influence of high power electromagnetic pulses on GaAs MESFET
作者单位
四川大学,电子信息学院,成都,610064
摘要
采用时域有限差分方法,通过求解麦克斯韦方程、热传导方程和载流子方程,模拟了在电磁脉冲辐射下,场效应管器件温度和端口散射参数的变化过程.研究了不同幅度脉冲序列和上升沿不同的脉冲对砷化镓金属半导体场效应管的影响,对比了各种不同脉冲作用下场效应管性能的变化规律.该方法克服了传统电路模型无法模拟电磁波与器件内部活动粒子作用过程的缺点,可以直接模拟器件温度和散射参数在高功率电磁脉冲辐射下的时域变化过程.
Abstract
参考文献

[1] Narasimhan R,Sadwick L P,Hwu R J.Enhancement of high-temperature high-frequency performance of GaAs-Based FET's by the high-temperature electronic technique[J].IEEE Trans Electron Devices,1999,46(1):24-30.

[2] Wojtasiak W,Gryglewski D.Temperature-dependent modeling of high power MESFET using thermal FDTD method[C]//IEEE MTT-S Digest.2001:411-414.

[3] Fan M S,Christou A.Two-dimensional thermal modeling of power monolithic microwave integrated circuits(MMIC's)[J].IEEE Trans Electron Devices,1992,39(5):1075-1079.

[4] Modelski J W,Nosal Z M.Present microwave activities at the Warsaw Chiversity of Technology[C]//Microwaves millimeter and submillimeter wave symposium.2004:46-53.

[5] Trantanella C,Pollman M.An investigation of GaAs MMIC high power limiters for circuit protection[C]//IEEE MTT-S Digest.1997:535-538.

[6] Munoz S,Sebastian L,Gallego D.Modeling the bias and temperature dependence of a C-class MESFET amplifier[J].IEEE Trans on Microwave Theory and Techniques,1997,45(4):527-533.

[7] Fujitsu Microwave Semiconductors Catalogue[Z].1997.

[8] Kun Y,Hinz A.Simulation of submicrometer GaAs MESFET's using a full dynamic transport model[J].IEEE Trans on Electron Device,1988,35(9):1419-1431.

张寒峭, 黄卡玛. 高功率电磁脉冲对砷化镓金属半导体场效应管的影响[J]. 强激光与粒子束, 2006, 18(11): 1873. 张寒峭, 黄卡玛. Numerical simulation of the influence of high power electromagnetic pulses on GaAs MESFET[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2006, 18(11): 1873.

关于本站 Cookie 的使用提示

中国光学期刊网使用基于 cookie 的技术来更好地为您提供各项服务,点击此处了解我们的隐私策略。 如您需继续使用本网站,请您授权我们使用本地 cookie 来保存部分信息。
全站搜索
您最值得信赖的光电行业旗舰网络服务平台!