激光与光电子学进展, 1986, 23 (9): 19, 网络出版: 2013-07-26
在半绝缘InP衬底上集成半导体激光器、pin光电二极管和FET的光集成片
摘要
日本电报电话公司厚木电气通信研究所试制成在光纤通信中用作光信号放大器的光集成片。在半绝缘InP衬底上集成隐埋双异质结InGaAsP激光器、pin光电二极管、2级柱形栅FET(场效应晶体管）四种元件。
Abstract
参考文献
赵玉兰. 在半绝缘InP衬底上集成半导体激光器、pin光电二极管和FET的光集成片[J]. 激光与光电子学进展, 1986, 23(9): 19. 赵玉兰. [J]. Laser & Optoelectronics Progress, 1986, 23(9): 19.
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