红外与毫米波学报, 2015, 34 (1): 10, 网络出版: 2015-03-23   

高功率808nm AlGaAs/GaAs基半导体激光器巴条的热耦合特征

Thermal crosstalk characteristics in high-power 808nm AlGaAs/GaAs laser diode bars
作者单位
北京南瑞智芯微电子科技有限公司, 北京 100192
基本信息
DOI: 10.3724/sp.j.1010.2015.00010
中图分类号: 71.55.Eq, 72.15.Eb, 85.60.Bt
栏目:
项目基金: Supported by National Natural Science Foundation of China (61376077)、the Beijing Natural Science Foundation of China (4132022)
收稿日期: 2013-12-26
修改稿日期: 2014-04-25
网络出版日期: 2015-03-23
通讯作者: 乔彦彬 (ybqiao@126.com)
备注: --

乔彦彬, 陈燕宁, 赵东艳, 张海峰. 高功率808nm AlGaAs/GaAs基半导体激光器巴条的热耦合特征[J]. 红外与毫米波学报, 2015, 34(1): 10. QIAO Yan-Bin, CHEN Yan-Ning, ZHAO Dong-Yan, ZHANG Hai-Feng. Thermal crosstalk characteristics in high-power 808nm AlGaAs/GaAs laser diode bars[J]. Journal of Infrared and Millimeter Waves, 2015, 34(1): 10.

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