半导体光电, 2019, 40 (4): 455, 网络出版: 2019-09-20
CCD多晶硅层间复合绝缘介质研究
Study on Inter-layer Insulating Dielectric of Polysilicon of Charge-coupled Devices
基本信息
DOI: | 10.16818/j.issn1001-5868.2019.04.001 |
中图分类号: | TN386.5 |
栏目: | 光电器件 |
项目基金: | -- |
收稿日期: | 2019-04-19 |
修改稿日期: | -- |
网络出版日期: | 2019-09-20 |
通讯作者: | 廖乃镘 (liaonaiman@163.com) |
备注: | -- |
廖乃镘, 刘昌林, 张明丹, 寇琳来, 罗春林, 阙蔺兰. CCD多晶硅层间复合绝缘介质研究[J]. 半导体光电, 2019, 40(4): 455. LIAO Naiman, LIU Changlin, ZhANG Mingdan, KOU Linlai, LUO Chunlin, QUE Linlan. Study on Inter-layer Insulating Dielectric of Polysilicon of Charge-coupled Devices[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2019, 40(4): 455.