发光学报, 2020, 41 (1): 103, 网络出版: 2020-02-24
新型低功耗金属氧化物TFT集成行驱动电路
New Low-power Gate Driver Circuit Integrated by Metal Oxide Thin Film Transistors
基本信息
DOI: | 10.3788/fgxb20204101.0103 |
中图分类号: | TP394.1;TH691.9 |
栏目: | 器件制备及器件物理 |
项目基金: | 国家重点研发计划(2016YFB0401005)、 国家自然科学基金(61874046, 61574062)、 广东省科技计划(2016B090906002, 2017B090901055)、 广州开发区国际科技合作项目(2017GH29)、 中央高校基本科研业务费专项(D2190970)资助项目 |
收稿日期: | 2019-09-28 |
修改稿日期: | 2019-10-31 |
网络出版日期: | 2020-02-24 |
通讯作者: | 林奕圳 (876424893@qq.com) |
备注: | -- |
林奕圳, 胡宇峰, 周雷, 吴为敬, 邹建华, 徐苗, 王磊, 彭俊彪. 新型低功耗金属氧化物TFT集成行驱动电路[J]. 发光学报, 2020, 41(1): 103. LIN Yi-zhen, HU Yu-feng, ZHOU Lei, WU Wei-jing, ZOU Jian-hua, XU Miao, WANG Lei, PENG Jun-biao. New Low-power Gate Driver Circuit Integrated by Metal Oxide Thin Film Transistors[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2020, 41(1): 103.