红外, 2018, 39 (2): 21, 网络出版: 2018-04-25  

320×256二类超晶格探测器驱动电路的设计

Design of Driving Circuits for 320×256 Type II Superlattice Infrared Detector
刘文浩 1,2,3,*董峰 1,2
作者单位
1 中国科学院红外探测与成像技术重点实验室,上海 200083
2 中国科学院上海技术物理研究所,上海 200083
3 中国科学院大学,北京 100049
引用该论文

刘文浩, 董峰. 320×256二类超晶格探测器驱动电路的设计[J]. 红外, 2018, 39(2): 21.

LIU Wen-hao, DONG Feng. Design of Driving Circuits for 320×256 Type II Superlattice Infrared Detector[J]. INFRARED, 2018, 39(2): 21.

参考文献

[1] 马文全. InAs/GaSb二类超晶格红外探测材料与器件[R]. 第十六届全国晶体生长与材料学术会议,2012.

[2] 杨利鹏. GaSb基Ⅱ类超晶格双色红外探测器研究[D]. 北京: 北京工业大学,2014.

[3] Smith D L, McGill T C, Schulman J N. Advantages of the HgTe-CdTe Superlattice As an Infrared Detector Material[J]. Applied Physics Letters, 1983, 43(2): 180-182.

[4] 史衍丽,余连杰,田亚芳. InAs/(In)GaSb II类超晶格红外探测器研究现状[J]. 红外技术, 2007, 29(11): 621-626.

[5] 杨国政,唐广. 非制冷红外焦平面阵列的非均匀性校正及其实现[J]. 红外,2004, 25(8): 1-5.

[6] 徐志成. InAs/GaSb II类超晶格探测器结构MBE生长研究[D]. 上海: 中国科学院上海技术物理研究所, 2014.

[7] 许佳佳,陈建新,周易,等. 320×256元InAs/GaSb II类超晶格长波红外焦平面探测器[J]. 红外与毫米波学报,2014, 33(6): 598-601.

[8] 刘云芳,李建伟,李玉敏,等. 640×512 InGaAs探测器驱动电路设计[J]. 红外技术,2012, 34(3): 146-150.

刘文浩, 董峰. 320×256二类超晶格探测器驱动电路的设计[J]. 红外, 2018, 39(2): 21. LIU Wen-hao, DONG Feng. Design of Driving Circuits for 320×256 Type II Superlattice Infrared Detector[J]. INFRARED, 2018, 39(2): 21.

关于本站 Cookie 的使用提示

中国光学期刊网使用基于 cookie 的技术来更好地为您提供各项服务,点击此处了解我们的隐私策略。 如您需继续使用本网站,请您授权我们使用本地 cookie 来保存部分信息。
全站搜索
您最值得信赖的光电行业旗舰网络服务平台!