[1] S. Tong, F. Liu, A. Khitun, K. L. Wang, and J. L. Liu, J. Appl. Phys. 96, 773 (2004).

[2] P. W. Li, W. M. Liao, David M. T. Kuo, S. W. Lin, P. S. Chen, S. C. Lu, and M. J. Tsai, Appl. Phys. Lett. 85, 1532 (2004).

[3] J. S. Xia, K. Nemoto, Y. Ikegami, Y. Shiraki, and N. Usami, Appl. Phys. Lett. 91, 011104 (2007).

[4] P.D. Tougaw, C. S. Lent, and W. Porod, J. Appl. Phys. 74, 3558 (1993).

[5] B. E. Kane, Nature 393, 133 (1998).

[6] G. Chen, G. Vastola, H. Lichtenberger, D. Pachinger, G. Bauer, W. Jantsch, F. Schaffler, and L. Miglio, Appl. Phys. Lett. 92, 113106 (2008).

[7] A. Portavoce, M. Kammler, R. Hull, M. C. Reuter, and F. M. Ross, Nanotechnology 17, 4451 (2006).

[8] D. Grutzmacher, T. Fromherz, C. Dais, J. Stangl, E. Muller, Y. Ekinci, H. H. Solak, H. Sigg, R. T. Lechner, E. Wintersberger, S. Birner, V. Holy, and G. Bauer, Nano Lett. 7, 3150 (2007).

[9] Z. Y. Zhong, A. Halilovic, M. Muhiberger, F. Schaffler, and G. Bauer, Appl. Phys. Lett. 82, 445 (2003).

[10] G. Q. Ding, M. J. Zheng, W. L. Xu, and W. Z. Shen, Nanotechnology 16, 1285 (2005).

[11] E. Kasper, Properties of Strained and Relaxed Silicon Germanium (NDIP, Beijing, 2002).

[12] Y. Lei and W. K. Chim, Chem. Mater. 17, 580 (2005).