无机材料学报, 2020, 35 (4): 505, 网络出版: 2021-03-01  

Pd插层NbSe2化合物的制备、晶体结构和电学性质研究

Synthesis, Crystal Structure, and Electrical Conductivity of Pd-intercalated NbSe2
作者单位
1 中国科学院 上海硅酸盐研究所, 高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室, 上海 200050
2 中国科学院大学, 北京 100049
3 北京大学 化学与分子工程学院, 北京分子科学国家实验室与稀土材料化学及应用国家重点实验室, 北京 100871
摘要
通过固相反应法合成一系列插层化合物PdxNbSe2 (x=0~0.17)。它们与2H-NbSe2相同, 属于六方晶格, 空间群为P63/mmc。Pd占据NbSe2层间的八面体空位。随着Pd含量的增加, 晶格常数c线性增大, 而a几乎不变。X射线单晶衍射结果表明, Pd0.17NbSe2的晶格常数为a=b=0.34611(2) nm, c=1.27004(11) nm。每个Pd原子与六个Se原子键合形成[PdSe6]八面体来连接相邻的Nb-Se层, 使晶体结构变得更加稳定, 从而提高化合物的热稳定性。电学测试表明, 随着Pd含量的增加, PdxNbSe2的剩余电阻比减小。此外, 超导转变温度也随着Pd含量的增加而下降, 说明Pd的引入不利于NbSe2的超导态。
Abstract
New intercalated compounds PdxNbSe2 (x=0-0.17) were synthesized via solid-state reaction. They possess the parent structure of 2H-NbSe2 and crystalize in the hexagonal space group of P63/mmc. The intercalated Pd occupies the octahedral position in the van der Waals gaps of 2H-NbSe2. Unit cell parameter c increases linearly with the Pd content, while a is nearly unchanged. The lattice parameter of Pd0.17NbSe2 (a=b=0.34611(2) nm, c= 1.27004(11) nm) is identified by single crystal X-ray diffraction. The intercalated Pd stabilizes the crystal structure of NbSe2 by connecting the adjacent Nb-Se layers with [PdSe6] octahedra and leads to the enhanced thermostability in air. Temperature dependence of electric resistivity reveals that the residual resistivity ratio of PdxNbSe2 monotonically decreases with addition of the intercalated Pd content. The decreased superconducting critical temperature of PdxNbSe2 indicates the suppression effect of Pd intercalation on the superconductivity in the host NbSe2.

黄冲, 赵伟, 王东, 卜克军, 王思顺, 黄富强. Pd插层NbSe2化合物的制备、晶体结构和电学性质研究[J]. 无机材料学报, 2020, 35(4): 505. Chong HUANG, Wei ZHAO, Dong WANG, Kejun BU, Sishun WANG, Fuqiang HUANG. Synthesis, Crystal Structure, and Electrical Conductivity of Pd-intercalated NbSe2[J]. Journal of Inorganic Materials, 2020, 35(4): 505.

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