激光与光电子学进展, 2019, 56 (6): 063201, 网络出版: 2019-07-30   

n型与半绝缘6H-SiC晶体的超快载流子动力学 下载: 1395次

Ultrafast Carrier Dynamics in n-Type and Semi-Insulating 6H-SiC Crystals
作者单位
苏州科技大学数理学院, 江苏 苏州 215009
引用该论文

聂媱, 王友云, 吴雪琴, 方宇. n型与半绝缘6H-SiC晶体的超快载流子动力学[J]. 激光与光电子学进展, 2019, 56(6): 063201.

Yao Nie, Youyun Wang, Xueqin Wu, Yu Fang. Ultrafast Carrier Dynamics in n-Type and Semi-Insulating 6H-SiC Crystals[J]. Laser & Optoelectronics Progress, 2019, 56(6): 063201.

引用列表
2、 P掺杂6H-SiC的第一性原理研究人工晶体学报, 2022, 51 (1): 49
3、 RIE工艺参数对4H-SiC刻蚀速率和表面粗糙度的影响激光与光电子学进展, 2021, 58 (19): 1922002

聂媱, 王友云, 吴雪琴, 方宇. n型与半绝缘6H-SiC晶体的超快载流子动力学[J]. 激光与光电子学进展, 2019, 56(6): 063201. Yao Nie, Youyun Wang, Xueqin Wu, Yu Fang. Ultrafast Carrier Dynamics in n-Type and Semi-Insulating 6H-SiC Crystals[J]. Laser & Optoelectronics Progress, 2019, 56(6): 063201.

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