激光与光电子学进展, 2019, 56 (20): 202415, 网络出版: 2019-10-22   

等离激元光电探测器的光吸收特性研究 下载: 1108次

Light Absorption Characteristics of Plasmonic Photodetectors
作者单位
西安理工大学自动化与信息工程学院, 陕西 西安 710048
图 & 表

图 1. 数学模型结构图。(a)硅薄膜光电探测器的结构示意图;(b)数学模型的截面图

Fig. 1. Structural diagrams of mathematical model. (a) Schematic of silicon thin film photodetector; (b) cross-sectional view of mathematical model

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图 2. 不同厚度的抗反射膜下,光吸收效率随波长的变化关系

Fig. 2. Relationship between light absorption efficiency and wavelength with different thicknesses of anti-reflection film

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图 3. 衬底中光吸收效率随入射角度和波长的变化情况。(a) d=80 nm,P=260 nm;(b) d=80 nm,P=300 nm;(c) d=100 nm,P=110 nm;(d) d=100 nm,P=150 nm

Fig. 3. Absorption efficiency in substrate as a function of incident angle and wavelength. (a) d=80 nm,P=260 nm; (b) d=80 nm, P=300 nm; (c) d=100 nm, P=110 nm; (d) d=100 nm, P=150 nm

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图 4. d=100 nm,P=110 nm时,吸收率、反射率和透效率随入射角度的变化情况。(a)(c) λ=700 nm;(b)(d) λ=800 nm

Fig. 4. Variations in absorption efficiency, reflection efficiency, and transmission efficiency with incident angle when d=100 nm and P=110 nm. (a)(c) λ=700 nm; (b)(d) λ=800 nm

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图 5. 各箭头标示的角度处光电探测器x-z截面上电场模量E分布图。(a)(b)纳米结构;(c)(d)裸硅

Fig. 5. Electric field modulus E distributions of x-z cross section at the angle indicated by each arrow in Fig. 4. (a) (b) Nano-structure; (c)(d) bare silicon

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表 1裸硅光电探测器的不同波长对应的效率

Table1. Efficiency of bare silicon photodetector at different wavelengths

Wavelength /nm40050060070080090010001100
Efficiency0.3747400.5414500.5133700.4088100.2406400.2071800.0667340.189550

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表 2等离激元光电探测器的不同波长对应的效率

Table2. Efficiency of plasmon photodetector at different wavelengths

Wavelength /nm40050060070080090010001100
Efficiency0.0828490.3172130.6293700.7419370.6505200.5820730.3051910.070480

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柯熙政, 周茹. 等离激元光电探测器的光吸收特性研究[J]. 激光与光电子学进展, 2019, 56(20): 202415. Xizheng Ke, Ru Zhou. Light Absorption Characteristics of Plasmonic Photodetectors[J]. Laser & Optoelectronics Progress, 2019, 56(20): 202415.

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