中国激光, 2018, 45 (5): 0501006, 网络出版: 2018-05-02 复制并引用该论文  本文已被引 3 次  被引通知

图 & 表

图 1. 1064 nm DBR半导体激光器的结构

Fig. 1. Structure of 1064 nm DBR semiconductor laser

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图 2. 不同光栅区长度的DBR在1064 nm波长处的最大反射率

Fig. 2. Peak reflectivity of DBR with different grating area lengths at the wavelength of 1064 nm

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图 3. 光栅区长度为400 μm的DBR激光器的光谱拟合曲线

Fig. 3. Spectral fitting curve of DBR laser with the grating area length of 400 μm

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图 4. 1064 nm对应激光频率附近的输出光谱与增益模拟曲线

Fig. 4. Simulation curves of output spectrum and gain near the laser frequency corresponding to 1064 nm

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图 5. 1064 nm DBR半导体激光器输出功率与注入电流的模拟曲线

Fig. 5. Simulation curve between output power and injection current of 1064 nm DBR semiconductor laser

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图 6. 脊型波导解理面扫描电镜图

Fig. 6. SEM image of ridge waveguide cleavage plane

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图 7. 刻蚀后的布拉格光栅的扫描电镜图

Fig. 7. SEM image of Bragg grating after etching

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图 8. 1064 nm DBR半导体激光器的发射光谱

Fig. 8. Emitting spectrum of 1064 nm DBR semiconductor laser

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图 9. 1064 nm DBR半导体激光器的LIV测试曲线

Fig. 9. LIV test curves of 1064 nm DBR semiconductor laser

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表 1DBR光栅反射率模拟中采用的参数

Table1. Parameters in DBR grating reflectivity simulation

Parameter Value /μm Background index 3.21 Index difference 0.1 Waveguide width 3.5 Waveguide height 2.5 Slab height 1.25

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表 21064 nm DBR半导体激光器的外延结构参数

Table2. Epitaxial layer parameters of 1064 nm DBR semiconductor laser

No. Thickness /μm Layer Doping concentration /cm-3 9 0.1 p-GaAs 1019 8 1.5 p-Al0.4Ga0.6As 1018 7 0.1 Al0.15Ga0.85As None 6 0.01 GaAs None 5 0.0075 In0.29Ga0.71As None 4 0.01 GaAs None 3 0.1 Al0.15Ga0.85As None 2 1.7 n-Al0.4Ga0.6As 1018 1 0.5 n-GaAs 2×1018 0 100 n-GaAs 2×1018

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贾宝山, 王皓, 李爱民, 王梦鹤, 都继瑶, 李辉, 李再金, 薄报学, 曲轶. 窄线宽1064 nm分布布拉格反射半导体激光器[J]. 中国激光, 2018, 45(5): 0501006. Jia Baoshan, Wang Hao, Li Aimin, Wang Menghe, Du Jiyao, Li Hui, Li Zaijin, Bo Baoxue, Qu Yi. Narrow Linewidth 1064 nm Distributed Bragg Reflector Semiconductor Laser[J]. Chinese Journal of Lasers, 2018, 45(5): 0501006.