光谱学与光谱分析, 2018, 38 (1): 82, 网络出版: 2018-01-30  

相变区硅薄膜拉曼和红外光谱分析

Raman and IR Study on Silicon Films at Transition Regime
作者单位
1 河北工业大学电子信息工程学院, 天津 300400
2 河北工业大学理学院, 天津 300400
3 河北大学物理科学与技术学院, 河北省光电信息材料重点实验室, 河北 保定 071002
基本信息
DOI: 10.3964/j.issn.1000-0593(2018)01-0082-05
中图分类号: O433.4
栏目:
项目基金: 国家自然科学基金青年基金项目(61504036), 河北省自然科学基金青年基金项目(A2016201087)资助
收稿日期: 2017-09-10
修改稿日期: 2017-11-30
网络出版日期: 2018-01-30
通讯作者: 范闪闪 (fanss1981@126.com)
备注: --

范闪闪, 郭强, 杨彦彬, 丛日东, 于威, 傅广生. 相变区硅薄膜拉曼和红外光谱分析[J]. 光谱学与光谱分析, 2018, 38(1): 82. FAN Shan-shan, GUO Qiang, YANG Yan-bin, CONG Ri-dong, YU Wei, FU Guang-sheng. Raman and IR Study on Silicon Films at Transition Regime[J]. Spectroscopy and Spectral Analysis, 2018, 38(1): 82.

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