强激光与粒子束, 2010, 22 (3): 557, 网络出版: 2010-05-28   

不同形状的光斑触发砷化镓光导开关

GaAs photoconductive semiconductor switch triggered by laser spots with different profiles
作者单位
1 中国工程物理研究院 流体物理研究所,四川 绵阳 621900
2 清华大学 电机系,北京 100084
基本信息
DOI: 10.3788/hplpb20102203.0557
中图分类号: TM836
栏目: 脉冲功率技术
项目基金: 国家自然科学基金重点项目(50837004)、中国工程物理研究院科学技术发展基金项目(2008B0402037,2009B0402040)
收稿日期: 2009-11-03
修改稿日期: 2009-12-15
网络出版日期: 2010-05-28
通讯作者: 袁建强 (Jianqiang.Yuan@gmail.com)
备注: --

袁建强, 刘宏伟, 刘金锋, 李洪涛, 谢卫平, 王新新, 江伟华. 不同形状的光斑触发砷化镓光导开关[J]. 强激光与粒子束, 2010, 22(3): 557. Yuan Jianqiang, Liu Hongwei, Liu Jinfeng, Li Hongtao, Xie Weiping, Wang Xinxin, Jiang Weihua. GaAs photoconductive semiconductor switch triggered by laser spots with different profiles[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2010, 22(3): 557.

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