强激光与粒子束, 2010, 22 (3): 557, 网络出版: 2010-05-28
不同形状的光斑触发砷化镓光导开关
GaAs photoconductive semiconductor switch triggered by laser spots with different profiles
基本信息
DOI: | 10.3788/hplpb20102203.0557 |
中图分类号: | TM836 |
栏目: | 脉冲功率技术 |
项目基金: | 国家自然科学基金重点项目(50837004)、中国工程物理研究院科学技术发展基金项目(2008B0402037,2009B0402040) |
收稿日期: | 2009-11-03 |
修改稿日期: | 2009-12-15 |
网络出版日期: | 2010-05-28 |
通讯作者: | 袁建强 (Jianqiang.Yuan@gmail.com) |
备注: | -- |
袁建强, 刘宏伟, 刘金锋, 李洪涛, 谢卫平, 王新新, 江伟华. 不同形状的光斑触发砷化镓光导开关[J]. 强激光与粒子束, 2010, 22(3): 557. Yuan Jianqiang, Liu Hongwei, Liu Jinfeng, Li Hongtao, Xie Weiping, Wang Xinxin, Jiang Weihua. GaAs photoconductive semiconductor switch triggered by laser spots with different profiles[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2010, 22(3): 557.