人工晶体学报, 2021, 50 (2): 381, 网络出版: 2021-03-30
GaAs基980 nm高功率半导体激光器的研究进展
Research Progress of GaAs Based 980 nm High Power Semiconductor Lasers
基本信息
| DOI: | -- |
| 中图分类号: | O471 |
| 栏目: | 综合评述 |
| 项目基金: | 国家自然科学基金(61904120,21972103,61604104,51672185)、国家重点研发计划(2016YFB0401803)、山西省基础研究项目(201801D221124,201801D121101,201901D111111,201901D211090,201601D202029)、山西省重点研发项目(201803D31042) |
| 收稿日期: | 2020-11-17 |
| 修改稿日期: | -- |
| 网络出版日期: | 2021-03-30 |
| 通讯作者: | 胡雪莹 (huxueying0957@link.tyut.edu.cn) |
| 备注: | -- |
胡雪莹, 董海亮, 贾志刚, 张爱琴, 梁建, 许并社. GaAs基980 nm高功率半导体激光器的研究进展[J]. 人工晶体学报, 2021, 50(2): 381. HU Xueying, DONG Hailiang, JIA Zhigang, ZHANG Aiqin, LIANG Jian, XU Bingshe. Research Progress of GaAs Based 980 nm High Power Semiconductor Lasers[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2021, 50(2): 381.
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