激光二极管的位移损伤效应研究 | 半导体光电 -- 中国光学期刊网

半导体光电, 2011, 32 (2): 195, 网络出版: 2012-01-04

激光二极管的位移损伤效应研究

Study on Displacement Damage Effects of Laser Diodes

黄绍艳 ^*刘敏波肖志刚唐本奇王祖军张勇

作者单位

西北核技术研究所，西安 710024

引用该论文

黄绍艳, 刘敏波, 肖志刚, 唐本奇, 王祖军, 张勇. 激光二极管的位移损伤效应研究[J]. 半导体光电, 2011, 32(2): 195.

黄绍艳, 刘敏波, 肖志刚, 唐本奇, 王祖军, 张勇. Study on Displacement Damage Effects of Laser Diodes[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2011, 32(2): 195.

引用列表

1、 850 nm垂直腔面发射激光器的辐射效应红外与激光工程, 2022, 51 (5): 20210326

2、不同偏置条件下光电耦合器的总剂量效应半导体光电, 2015, 36 (5): 708

3、光电耦合器不同辐照剂量率下的伽玛总剂量效应强激光与粒子束, 2014, 26 (8): 84001

黄绍艳, 刘敏波, 肖志刚, 唐本奇, 王祖军, 张勇. 激光二极管的位移损伤效应研究[J]. 半导体光电, 2011, 32(2): 195. 黄绍艳, 刘敏波, 肖志刚, 唐本奇, 王祖军, 张勇. Study on Displacement Damage Effects of Laser Diodes[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2011, 32(2): 195.

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