微通道板高增益二次电子发射层制备研究

郝子恒; 李相鑫; 张妮; 朱宇峰; 李丹

红外技术, 2018, 40 (11): 1077, 网络出版: 2018-12-18

微通道板高增益二次电子发射层制备研究

Preparation of High Gain Secondary Electron Emission Layer for Micro-channel Plate

郝子恒 ^1,2,*李相鑫 ^1,2张妮 ^1,2朱宇峰 ^1,2李丹 ^1,2

作者单位

¹ 微光夜视技术重点实验室，陕西西安 710065

² 昆明物理研究所，云南昆明 650223

引用该论文

郝子恒, 李相鑫, 张妮, 朱宇峰, 李丹. 微通道板高增益二次电子发射层制备研究[J]. 红外技术, 2018, 40(11): 1077.

HAO Ziheng, LI Xiangxin, ZHANG Ni, ZHU Yufeng, LI Dan. Preparation of High Gain Secondary Electron Emission Layer for Micro-channel Plate[J]. Infrared Technology, 2018, 40(11): 1077.

引用列表

1、微通道板斜切角对像增强器性能的影响研究红外技术, 2023, 45 (3): 322

2、 MCP输入增强膜对像增强器主要性能的影响研究红外技术, 2020, 42 (8): 735

3、微通道板分辨力提高研究光子学报, 2019, 48 (12): 1223002

郝子恒, 李相鑫, 张妮, 朱宇峰, 李丹. 微通道板高增益二次电子发射层制备研究[J]. 红外技术, 2018, 40(11): 1077. HAO Ziheng, LI Xiangxin, ZHANG Ni, ZHU Yufeng, LI Dan. Preparation of High Gain Secondary Electron Emission Layer for Micro-channel Plate[J]. Infrared Technology, 2018, 40(11): 1077.

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