红外与激光工程, 2005, 34 (1): 15, 网络出版: 2006-05-25   

低真空退火对GaN MSM紫外探测器伏安特性的影响

Low vacuum annealing impact on current-voltage characterization of GaN MSM UV detectors
作者单位
中国科学院,上海技术物理研究所,传感技术国家重点实验室,上海,200083
引用该论文

亢勇, 李雪, 肖继荣, 靳秀芳, 李向阳, 龚海梅, 方家熊. 低真空退火对GaN MSM紫外探测器伏安特性的影响[J]. 红外与激光工程, 2005, 34(1): 15.

亢勇, 李雪, 肖继荣, 靳秀芳, 李向阳, 龚海梅, 方家熊. Low vacuum annealing impact on current-voltage characterization of GaN MSM UV detectors[J]. Infrared and Laser Engineering, 2005, 34(1): 15.

引用列表
1、 InGaN紫外探测器的制备与性能研究半导体光电, 2014, 35 (5): 785
2、 AlGaN/GaN异质结紫外探测器红外与激光工程, 2007, 36 (6): 917
3、 PECVD沉积SiO2和SiNx对p-GaN的影响红外与激光工程, 2007, 36 (2): 214

亢勇, 李雪, 肖继荣, 靳秀芳, 李向阳, 龚海梅, 方家熊. 低真空退火对GaN MSM紫外探测器伏安特性的影响[J]. 红外与激光工程, 2005, 34(1): 15. 亢勇, 李雪, 肖继荣, 靳秀芳, 李向阳, 龚海梅, 方家熊. Low vacuum annealing impact on current-voltage characterization of GaN MSM UV detectors[J]. Infrared and Laser Engineering, 2005, 34(1): 15.

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