红外与激光工程, 2005, 34 (1): 15, 网络出版: 2006-05-25
低真空退火对GaN MSM紫外探测器伏安特性的影响
Low vacuum annealing impact on current-voltage characterization of GaN MSM UV detectors
基本信息
DOI: | -- |
中图分类号: | TN36 |
栏目: | 器件与材料 |
项目基金: | -- |
收稿日期: | 2004-01-18 |
修改稿日期: | -- |
网络出版日期: | 2006-05-25 |
通讯作者: | |
备注: | -- |
亢勇, 李雪, 肖继荣, 靳秀芳, 李向阳, 龚海梅, 方家熊. 低真空退火对GaN MSM紫外探测器伏安特性的影响[J]. 红外与激光工程, 2005, 34(1): 15. 亢勇, 李雪, 肖继荣, 靳秀芳, 李向阳, 龚海梅, 方家熊. Low vacuum annealing impact on current-voltage characterization of GaN MSM UV detectors[J]. Infrared and Laser Engineering, 2005, 34(1): 15.