具有渐变量子垒的氮极性AlGaN基LED实现载流子调控和性能增强 | 光子学报 -- 中国光学期刊网

光子学报, 2019, 48 (7): 0723001, 网络出版: 2019-07-31

具有渐变量子垒的氮极性AlGaN基LED实现载流子调控和性能增强

Carrier Manipulation and Performance Enhancement of N-polar AlGaN-based LED with Grading Quantum Barriers

陆义 ^1,2,3,4,*闫建昌 ^1,2,3李晓航 ⁴郭亚楠 ^1,2,3吴卓辉 ^1,2,3张亮 ^1,2,3谷文 ^1,2,3王军喜 ^1,2,3李晋闽 ^1,2,3

作者单位

¹ 中国科学院半导体研究所半导体照明研发中心, 北京 100083

² 中国科学院大学材料科学与光电技术学院, 北京 100049

³ 北京市第三代半导体材料及应用工程技术研究中心, 北京 100083

⁴ 阿卜杜拉国王科技大学先进半导体实验室, 图沃 23955-6900,沙特阿拉伯

图 & 表

陆义, 闫建昌, 李晓航, 郭亚楠, 吴卓辉, 张亮, 谷文, 王军喜, 李晋闽. 具有渐变量子垒的氮极性AlGaN基LED实现载流子调控和性能增强[J]. 光子学报, 2019, 48(7): 0723001. LU Yi, YAN Jian-chang, LI Xiao-hang, GUO Ya-nan, WU Zhuo-hui, ZHANG Liang, GU Wen, WANG Jun-xi, LI Jin-min. Carrier Manipulation and Performance Enhancement of N-polar AlGaN-based LED with Grading Quantum Barriers[J]. ACTA PHOTONICA SINICA, 2019, 48(7): 0723001.

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