852 nm半导体激光器量子阱设计与外延生长

徐华伟; 宁永强; 曾玉刚; 张星; 秦莉

doi:doi:10.3788/ope.20132103.0590

光学精密工程, 2013, 21 (3): 590, 网络出版: 2013-04-08

852 nm半导体激光器量子阱设计与外延生长

Design and epitaxial growth of quantum-well for 852 nm laser diode

徐华伟 ^1,2,*宁永强 ¹曾玉刚 ¹张星 ¹秦莉 ¹

作者单位

¹ 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所发光学及应用国家重点实验室,吉林长春130033

² 中国科学院大学, 北京 100049

引用该论文

徐华伟, 宁永强, 曾玉刚, 张星, 秦莉. 852 nm半导体激光器量子阱设计与外延生长[J]. 光学精密工程, 2013, 21(3): 590.

XU Hua-wei, NING Yong-qiang, ZENG Yu-gang, ZHANG Xing, QIN Li. Design and epitaxial growth of quantum-well for 852 nm laser diode[J]. Optics and Precision Engineering, 2013, 21(3): 590.

引用列表

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3、 n波导层铟组分对GaN基绿光激光二极管光电性能的影响红外与激光工程, 2021, 50 (10): 20200489

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徐华伟, 宁永强, 曾玉刚, 张星, 秦莉. 852 nm半导体激光器量子阱设计与外延生长[J]. 光学精密工程, 2013, 21(3): 590. XU Hua-wei, NING Yong-qiang, ZENG Yu-gang, ZHANG Xing, QIN Li. Design and epitaxial growth of quantum-well for 852 nm laser diode[J]. Optics and Precision Engineering, 2013, 21(3): 590.

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