光学 精密工程, 2013, 21 (3): 590, 网络出版: 2013-04-08
852 nm半导体激光器量子阱设计与外延生长
Design and epitaxial growth of quantum-well for 852 nm laser diode
基本信息
| DOI: | 10.3788/ope.20132103.0590 |
| 中图分类号: | TN248.4 |
| 栏目: | 现代应用光学 |
| 项目基金: | 国家自然科学基金资助项目(No.11074247,No.61106047,No.61176045,No.61106068,No.51172225,No.61006054)、 国家自然科学基金重点项目(No.90923037) |
| 收稿日期: | 2012-11-17 |
| 修改稿日期: | 2012-12-09 |
| 网络出版日期: | 2013-04-08 |
| 通讯作者: | 徐华伟 (xuhwciomp@163.com) |
| 备注: | -- |
徐华伟, 宁永强, 曾玉刚, 张星, 秦莉. 852 nm半导体激光器量子阱设计与外延生长[J]. 光学 精密工程, 2013, 21(3): 590. XU Hua-wei, NING Yong-qiang, ZENG Yu-gang, ZHANG Xing, QIN Li. Design and epitaxial growth of quantum-well for 852 nm laser diode[J]. Optics and Precision Engineering, 2013, 21(3): 590.
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